是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | DFP, FL14,.3 | Reach Compliance Code: | unknown |
HTS代码: | 8542.39.00.01 | 风险等级: | 5.7 |
其他特性: | RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY | 系列: | HC/UH |
JESD-30 代码: | R-CDFP-F14 | JESD-609代码: | e0 |
负载电容(CL): | 50 pF | 逻辑集成电路类型: | XOR GATE |
最大I(ol): | 0.00005 A | 功能数量: | 4 |
输入次数: | 2 | 端子数量: | 14 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | DFP |
封装等效代码: | FL14,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLATPACK | 电源: | 5 V |
Prop。Delay @ Nom-Sup: | 22 ns | 传播延迟(tpd): | 20 ns |
认证状态: | Not Qualified | 施密特触发器: | NO |
筛选级别: | 38535V;38534K;883S | 子类别: | Gates |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | FLAT |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
总剂量: | 200k Rad(Si) V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
M54HC86K | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
RAD HARD QUAD EXCLUSIVE OR GATE | |
SNJ54HC86W | TI |
功能相似 |
QUADRUPLE 2-INPUT EXCLUSIVE-OR GATES |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HCS86MS | INTERSIL |
获取价格 |
Radiation Hardened Quad 2-Input Exclusive OR Gate | |
HCS86MS | RENESAS |
获取价格 |
CMOS Quad 2-Input Exclusive OR Gate | |
HCSD-02-01-T | SAMTEC |
获取价格 |
Board Connector, 4 Contact(s), 2 Row(s), Female, IDC Terminal | |
HCSD-02-D-02-01-N-G | SAMTEC |
获取价格 |
Interconnection Device | |
HCSD-02-D-02-01-N-R | SAMTEC |
获取价格 |
Interconnection Device | |
HCSD-02-D-02-01-N-RW | SAMTEC |
获取价格 |
Interconnection Device | |
HCSD-02-D-02-01-N-ST2 | SAMTEC |
获取价格 |
Interconnection Device | |
HCSD-02-D-02-01-N-ST4 | SAMTEC |
获取价格 |
Interconnection Device | |
HCSD-02-D-02-01-N-ST8 | SAMTEC |
获取价格 |
Interconnection Device | |
HCSD-02-D-02-01-S-G | SAMTEC |
获取价格 |
Interconnection Device |