是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | DIP, DIP14,.3 | Reach Compliance Code: | unknown |
HTS代码: | 8542.39.00.01 | 风险等级: | 5.27 |
其他特性: | RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY | 系列: | HC/UH |
JESD-30 代码: | R-CDIP-T14 | JESD-609代码: | e0 |
负载电容(CL): | 50 pF | 逻辑集成电路类型: | NOR GATE |
最大I(ol): | 0.0048 A | 功能数量: | 4 |
输入次数: | 2 | 端子数量: | 14 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP14,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 电源: | 5 V |
Prop。Delay @ Nom-Sup: | 26 ns | 传播延迟(tpd): | 25 ns |
认证状态: | Not Qualified | 施密特触发器: | NO |
筛选级别: | 38535V;38534K;883S | 子类别: | Gates |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
总剂量: | 1M Rad(Si) V |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
HCS02DMSR | INTERSIL | Radiation Hardened Quad 2-Input NOR Gate |
获取价格 |
|
HCS02HMSR | INTERSIL | Radiation Hardened Quad 2-Input NOR Gate |
获取价格 |
|
HCS02K | INTERSIL | Radiation Hardened Quad 2-Input NOR Gate |
获取价格 |
|
HCS02KMSH | RENESAS | IC,LOGIC GATE,QUAD 2-INPUT NOR,CMOS, RAD HARD,FP,14PIN,CERAMIC |
获取价格 |
|
HCS02KMSR | INTERSIL | Radiation Hardened Quad 2-Input NOR Gate |
获取价格 |
|
HCS02MS | INTERSIL | Radiation Hardened Quad 2-Input NOR Gate |
获取价格 |