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HBR3200D

更新时间： 2024-02-22 10:32:52

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华微电子 - JSMC		肖特基二极管
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5页	212K
描述
SCHOTTKY BARRIER DIODE

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HBR3200D 数据手册

肖特基势垒二极管

SCHOTTKY BARRIER DIODE

HBR3200

主要参数 MAIN CHARACTERISTICS

封装 Package

I_F(AV)

V_RRM

T_j

200 V

175 ℃

0.75V （@Tj=125℃）

V_F(max)

用途

APPLICATIONS

z Low voltage, high

frequency rectifier

z Free wheeling diodes,

polarity protection

applications

z 低压、高频整流

z 低压续流电路和保护电

路

DO-201AD(DO-27)

FEATURES

产品特性

z轴向结构

zAxial Lead Rectifier

zLow power loss, high efficiency

zHigh Operating Junction

Temperature

z低功耗，高效率

z良好的高温特性

z有过压保护环，高可靠性

z环保（RoHS）产品

zGuard ring for overvoltage

protection，High reliability

zRoHS product

订货信息 ORDER MESSAGE

订货型号

Order codes

HBR3200D

印

记

封

装

无卤素

包

装

器件重量

Marking

HBR3200

Package

Halogen Free

Packaging

编带 Tape

Device Weight

1.1g(approx.)

DO-201AD 否

DO-201AD 是

HBR3200DR

YES

版本(Rev.)：201011A

1/5

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