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HAT2026R

更新时间： 2024-02-11 19:23:04

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瑞萨 - RENESAS		开关电源开关
页数	文件大小	规格书
7页	89K
描述
Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching

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HAT2026R 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.34	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	11 A	最大漏源导通电阻：	0.021 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

HAT2026R 数据手册

HAT2026R

Reverse Drain Current vs.

Source to Drain Voltage

Pulse Test

5 V

V_GS

= 0, –5 V

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

Source to Drain Voltage V_SD(V)

Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width

D = 1

0.5

0.1

θch – f (t) = γ s (t) • θch – f

θch – f = 83.3°C/W, Ta = 25°C

When using the glass epoxy board

(FR4 40 × 40 × 1.6 mm)

0.01

D =

P_DM

0.001

0.0001

10 µ

100 µ

1 m

10 m

100 m

100

1000

10000

Pulse Width PW (S)

Switching Time Test Circuit

Vin Monitor

Switching Time Waveform

90%

Vout

Monitor

10%

D.U.T.

R_L

Vin

Vout

10%

V_DD

= 10 V

Vin

4 V

50 Ω

90%

d(off)

d(on)

Rev.5.00 Sep 07, 2005 page 5 of 6

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