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HAT2026R

更新时间： 2024-02-29 13:24:47

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瑞萨 - RENESAS		开关电源开关
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7页	89K
描述
Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching

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HAT2026R 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.34	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	11 A	最大漏源导通电阻：	0.021 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

HAT2026R 数据手册

HAT2026R

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Drain to source voltage

Gate to source voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Value

Unit

±12

Note 1

Drain peak current

I_{D (pulse)}

Body-drain diode reverse drain current

Channel dissipation

I_DR

Pch ^{Note 2}

Tch

2.5

°C

Channel temperature

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Notes: 1. PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1%

2. When using the glass epoxy board (FR4 40 × 40 × 1.6 mm), PW ≤ 10 s

Electrical Characteristics

(Ta = 25°C)

Item

Symbol

V _{(BR) DSS}

V _{(BR) GSS}

I_GSS

Min

±12

—

Typ

—

Max

—

Unit

Test Conditions

Drain to source breakdown voltage

Gate to source breakdown voltage

Gate to source leak current

I_D= 10 mA, V_GS= 0

I_G= ±100 µA, V_DS= 0

V_GS= ±10 V, V_DS= 0

V_DS= 20 V, V_GS= 0

V_DS= 10 V, I_D= 1 mA

I_D= 6 A, V_GS= 4 V ^{Note 3}

I_D= 6 A, V_GS= 2.5 V ^{Note 3}

I_D= 6 A, V_DS= 10 V ^{Note 3}

V_DS= 10 V

—

±10

µA

Zero gate voltage drain current

Gate to source cutoff voltage

Static drain to source on state resistance

I_DSS

—

V_{GS (off)}

R_{DS (on)}

|y_fs|

0.4

—

1.4

0.011 0.015

0.014 0.021

Ω

—

Ω

Forward transfer admittance

Input capacitance

—

1760

1130

450

—

Ciss

_GS= 0

Output capacitance

Coss

Crss

t_{d (on)}

t_r

—

f = 1 MHz

Reverse transfer capacitance

Turn-on delay time

—

V_GS= 4 V, I_D= 6 A,

V_DD10 V

Rise time

—

275

300

340

0.83

—

Turn-off delay time

t_{d (off)}

t_f

—

Fall time

—

Body-drain diode forward voltage

Body-drain diode reverse recovery time

V_DF

—

1.08

—

I_F= 11 A, V_GS= 0 ^{Note 3}

I_F= 11 A, V_GS= 0

di_F/dt = 20 A/µs

t_rr

—

Note: 3. Pulse test

The specifications may be change without notice.

Rev.5.00 Sep 07, 2005 page 2 of 6

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