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HAT1024R-EL-E

更新时间： 2024-02-16 02:09:28

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瑞萨 - RENESAS		开关电源开关
页数	文件大小	规格书
8页	97K
描述
Silicon P Channel Power MOSFET High Speed Power Switching

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HAT1024R-EL-E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	SOP
包装说明：	3.95 X 4.90 MM, PLASTIC, FP-8DAV, SOP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.33	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.5 A
最大漏极电流 (ID)：	3.5 A	最大漏源导通电阻：	0.34 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	3 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	28 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

HAT1024R-EL-E 数据手册

HAT1024R

Main Characteristics

Power vs. Temperature Derating

Maximum Safe Operation Area

–100

4.0

3.0

2.0

1.0

Test Condition:

When using the glass epoxy board

(FR4 40 × 40 × 1.6 mm), PW ≤ 10 s

10 µs

–30

–10

–3

–1

Operation in

this area is

limited by R_{DS (on)}

–0.3

–0.1

Ta = 25°C

1 shot pulse

1 Drive Operation

–0.03

–0.01

–0.1 –0.3

–1

–3

–10 –30 –100

100

150

200

Drain to Source Voltage V_DS(V)

Note 5:

Ambient Temperature Ta (°C)

When using the glass epoxy board

(FR4 40 × 40 × 1.6 mm)

Typical Transfer Characteristics

Typical Output Characteristics

–20

–16

–12

–8

–20

–16

–12

–8

–6 V

–10 V

–8 V

Tc = –25°C

75°C

Pulse Test

25°C

–5 V

–4.5 V

–4 V

–3.5 V

–3 V

–4

V_DS= –10 V

Pulse Test

V_GS= –2.5 V

–6 –8 –10

Drain to Source Voltage V_DS(V)

–2

–4

–2

–4

–6

–8

–10

Gate to Source Voltage V_GS(V)

Drain to Source Saturation Voltage vs.

Gate to Source Voltage

Static Drain to Source on State Resistance

vs. Drain Current

–0.5

Pulse Test

–0.4

–0.3

–0.2

–0.1

0.5

I_D= –2 A

V_GS= –4 V

0.2

0.1

–10 V

–1 A

0.05

–0.5 A

0.02

–0.2 –0.5 –1

–2

–5 –10 –20

–2

–4

–6

–8

–10

Gate to Source Voltage V_GS(V)

Drain Current I_D(A)

Rev.9.00 Sep 07, 2005 page 3 of 7

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