Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> HAF1002-90STR

HAF1002-90STR

更新时间： 2024-01-04 19:58:52

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关
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描述
Silicon P Channel MOS FET Series Power Switching

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HAF1002-90STR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	SC-83
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.15	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	15 A
最大漏极电流 (ID)：	15 A	最大漏源导通电阻：	0.13 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	30 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

HAF1002-90STR 数据手册

HAF1002(L), HAF1002(S)

Silicon P Channel MOS FET Series

Power Switching

REJ03G1133-0200

(Previous: ADE-208-586)

Rev.2.00

Sep 07, 2005

Description

This FET has the over temperature shut-down capability sensing to the junction temperature.

This FET has the built-in over temperature shut-down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut-down

the gate voltage in case of high junction temperature like applying over power consumption, over current etc.

Features

•

Logic level operation (–4 to –6 V Gate drive)

High endurance capability against to the short circuit

Built-in the over temperature shut-down circuit

Latch type shut-down operation (Need 0 voltage recovery)

Outline

RENESAS Package code: PRSS0004AE-A

RENESAS Package code: PRSS0004AE-B

(Package name: LDPAK (S)-(1) )

(Package name: LDPAK (L) )

1. Gate

2. Drain

3. Source

4. Drain

Gate resistor

Tempe-

rature

Sensing

Circuit

Gate

Latch

Circuit

Shut-

down

Circuit

Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 1 of 8

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HAF1002L	HITACHI	获取价格	Silicon P Channel MOS FET Series Power Switching
HAF1002L	RENESAS	获取价格	Silicon P Channel MOS FET Series Power Switching
HAF1002S	HITACHI	获取价格	Silicon P Channel MOS FET Series Power Switching
HAF1002S	RENESAS	获取价格	Silicon P Channel MOS FET Series Power Switching
HAF1003(L)	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 18A I(D) \| TO-262VAR
HAF1003(S)	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 18A I(D) \| TO-263AB
HAF1004	RENESAS	获取价格	Silicon P Channel MOS FET Series Power Switching
HAF1004(L)	RENESAS	获取价格	5A, 60V, 0.34ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3
HAF1004(L)	HITACHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.34ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
HAF1004(L)-(2)	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,5A I(D),TO-251VAR

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