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HABC856

更新时间： 2022-02-26 12:04:09

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GENERAL PURPOSE TRANSISTOR

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HABC856 数据手册

HABC856/HABC857/HABC858(PNP)

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR

REPLACEMENT TYPE : BC856/BC857/BC858

FEATURES

 For general AF applications

 High collector current

 High current gain

 Low collector-emitter saturation voltage

SOT-23

MARKING:

1: BASE 2: EMITTER 3: COLLECTOR

HABC856A 3A HABC856B 3B

HABC857A 3E HABC857B 3F HABC857C 3G

HABC858A 3J HABC858B 3K HACB858C 3L

(T = 25°C unless otherwise noted)

MAXIMUM RATINGS

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

-80

Unit

HABC846

HABC847

HABC848

HABC846

HABC847

HABC848

Collector-Base Voltage

-50

-30

-65

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-45

-30

-5

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

-0.1

P_C

0.2

°C

T_J

150

Storage Temperature

T_stg

-55 to +150

©GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD

E-mail:hkt@heketai.com

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