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H5TQ1G63AFP

更新时间： 2024-01-07 22:15:29

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H5TQ1G63AFP 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA,
针数：	96	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.32
风险等级：	5.78	访问模式：	MULTI BANK PAGE BURST
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PBGA-B96
长度：	13 mm	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	96	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：
组织：	64MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	1.575 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.425 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.5 mm	Base Number Matches：	1

H5TQ1G43AFP(R)-xxC

H5TQ1G83AFP(R)-xxC

H5TQ1G63AFP(R)-xxC

1Gb DDR3 SDRAM

H5TQ1G43AFP(R)-xxC

H5TQ1G83AFP(R)-xxC

H5TQ1G63AFP(R)-xxC

** Contents are subject to change at any time without notice.

Rev. 0.4 / January 2009

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix semiconductor does not assume any

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
H5TQ1G63AFPR-G8C	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, CMOS, PBGA96, HALOGEN FREE, FBGA-96
H5TQ1G63AFP-S6C	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA96, FPBGA-96
H5TQ1G63BFR	HYNIX	获取价格	1Gb DDR3 SDRAM
H5TQ1G63BFR-G7C	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, 20ns, CMOS, PBGA96, HALOGEN FREE & ROHS COMPLIANT, FPBGA-96
H5TQ1G63BFR-H9C	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, 20ns, CMOS, PBGA96, HALOGEN FREE & ROHS COMPLIANT, FPBGA-96
H5TQ1G63DFR	HYNIX	获取价格	1Gb DDR3 SDRAM
H5TQ1G63DFR-11C	HYNIX	获取价格	1Gb DDR3 SDRAM
H5TQ1G63DFR-12C	HYNIX	获取价格	1Gb DDR3 SDRAM
H5TQ1G63DFRG7C	HYNIX	获取价格	1Gb DDR3 SDRAM
H5TQ1G63DFR-G7C	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, CMOS, PBGA96, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96