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H5GQ1H24AFR-T2L

更新时间： 2024-11-24 07:02:35

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H5GQ1H24AFR-T2L 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DSBGA	包装说明：	TFBGA, BGA170,14X17,32
针数：	170	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.32
风险等级：	5.81	访问模式：	MULTI BANK PAGE BURST
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	1250 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B170	JESD-609代码：	e1
长度：	14 mm	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS GRAPHICS RAM	内存宽度：	32
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	170	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：
组织：	32MX32	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA170,14X17,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	8
最大待机电流：	0.28 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	1.63 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.545 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.455 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

H5GQ1H24AFR

1Gb (32Mx32) GDDR5 SGRAM

H5GQ1H24AFR

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any

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Rev. 1.0 /Nov. 2009

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
H5GQ1H24AFR-T3C	HYNIX	获取价格	1Gb (32Mx32) GDDR5 SGRAM
H5GQ2H24AFR	HYNIX	获取价格	2Gb (64Mx32) GDDR5 SGRAM
H5GQ2H24AFR-R0C	HYNIX	获取价格	2Gb (64Mx32) GDDR5 SGRAM
H5GQ2H24AFR-T0C	HYNIX	获取价格	2Gb (64Mx32) GDDR5 SGRAM
H5GQ2H24AFR-T2C	HYNIX	获取价格	2Gb (64Mx32) GDDR5 SGRAM
H5H32C	ETC	获取价格	UM-1, UM-4, UM-5 Microprocessor Crystal
H5H32C1	CALIBER	获取价格	UM-1, UM-4, UM-5 Microprocessor Crystal
H5H32C3	CALIBER	获取价格	UM-1, UM-4, UM-5 Microprocessor Crystal
H5H32C5	CALIBER	获取价格	UM-1, UM-4, UM-5 Microprocessor Crystal
H5H32E	ETC	获取价格	UM-1, UM-4, UM-5 Microprocessor Crystal