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H5DU6462CTR-E4

更新时间: 2024-11-24 21:06:27
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
29页 324K
描述
DDR DRAM, 4MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TSOP2-66

H5DU6462CTR-E4 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2, TSSOP66,.46
针数:66Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.43访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.7 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):200 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:2,4,8JESD-30 代码:R-PBGA-B60
长度:22.225 mm内存密度:67108864 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:66字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSSOP66,.46封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH峰值回流温度(摄氏度):260
电源:2.5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096座面最大高度:1.194 mm
自我刷新:YES连续突发长度:2,4,8
最大待机电流:0.01 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.22 mA最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.3 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:20宽度:10.155 mm
Base Number Matches:1

H5DU6462CTR-E4 数据手册

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64Mb DDR SDRAM  
H5DU6462CTR  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any  
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev. 1.0 /July. 2008  
1

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