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H2967-12

更新时间: 2024-11-18 20:45:23
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美高森美 - MICROSEMI 高压快速恢复二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 39K
描述
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 2A, 1200V V(RRM), Silicon,

H2967-12 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.84
应用:HIGH VOLTAGE FAST RECOVERY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):3 V
JESD-30 代码:O-PALF-W2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:60 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:2 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:1200 V最大反向恢复时间:0.2 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

H2967-12 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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