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H2584

更新时间： 2024-11-30 22:33:03

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描述
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

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H2584 数据手册

Spec. No. : HE6716

Issued Date : 1996.02.01

Revised Date : 2002.02.18

Page No. : 1/3

HI-SINCERITY

MICROELECTRONICS CORP.

H2584

PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Description

The H2584 is designed for use in low voltage and low dropout

regulator applications.

TO-220

Absolute Maximum Ratings

• Maximum Temperatures

Storage Temperature............................................................................................ -55 ~ +150 °C

Junction Temperature...................................................................................... 150 °C Maximum

• Maximum Power Dissipation

Total Power Dissipation (Tc=25°C) ..................................................................................... 65 W

• Maximum Voltages and Currents (Ta=25°C)

VCBO Collector to Base Voltage........................................................................................ -20 V

VCEO Collector to Emitter Voltage..................................................................................... -15 V

VEBO Emitter to Base Voltage............................................................................................. -5 V

IC Collector Current ........................................................................................................... -10 A

Characteristics (Ta=25°C)

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

IC=-100mA

VCB=-20V

VCE=-15V

VEB=-5V

IC=-10A, IB=-10mA

IC=-5A, VCE=-1.7V

IC=-500mA, VCE=-1.7V

IC=-10A, VCE=-1.7V

*BVCEO

ICBO

ICEO

-15

-10

-20

-2

-1.5

-2

IEBO

*VCE(sat)

VBE(on)

*hFE1

*hFE2

*Pulse Test: Pulse Width ≤380us, Duty Cycle≤2%

H2584

HSMC Product Specification

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