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H0700KC17F

更新时间： 2024-02-05 18:18:59
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅栅极
页数 文件大小 规格书
15页 319K
描述
Symmetrical GTO SCR, 700A I(T)RMS, 1700V V(DRM), 1190V V(RRM), 1 Element

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H0700KC17F 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：DISK BUTTON, O-CXDB-X4
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.8配置：SINGLE
最大直流栅极触发电流：1500 mAJESD-30 代码：O-CXDB-X4
元件数量：1端子数量：4
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：ROUND
封装形式：DISK BUTTON峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：700 A
断态重复峰值电压：1700 V重复峰值反向电压：1190 V
表面贴装：YES端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UNSPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SYMMETRICAL GTO SCRBase Number Matches：1

H0700KC17F 数据手册

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WESTCODE An IXYS Company  
Fast Symmetrical Gate Turn-Off Thyristor type H0700KC17#  
Characteristics  
UNITS  
V
Parameter  
Maximum peak on-state voltage  
MIN  
-
TYP MAX TEST CONDITIONS  
VTM  
IL  
2.4  
2.75 IG=1.5A, IT=700A  
Latching current  
-
5
-
-
Tj=25°C  
A
IH  
Holding current.  
-
5
Tj=25°C  
A
dv/dtcr Critical rate of rise of off-state voltage  
800  
-
-
VD=80%VDRM, VGR=-2V  
Rated VDRM, VGR=-2V  
Rated VRRM  
V/µs  
mA  
mA  
mA  
V
IDM  
Peak off state current  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
30  
40  
IRM  
Peak reverse current  
-
IGKM  
Peak negative gate leakage current  
-
200 VGR=-16V  
0.9  
0.8  
0.7  
2.5  
0.4  
20  
-
-
Tj=-40°C  
Tj=25°C  
Tj=125°C  
Tj=-40°C  
VGT  
Gate trigger voltage  
Gate trigger current  
V
VD=25V, RL=25mΩ  
VD=25V, RL=25mΩ  
-
V
6
A
IGT  
1.5 Tj=25°C  
A
200 Tj=125°C  
mA  
µs  
VD=50%VDRM, ITGQ=700A, IGM=30A, diG/dt=15A/µs  
Tj=25°C, di/dt=300A/µs, (10%IGM to 90%VD)  
Conditions as for td, (10%IGM to 10%VD)  
VD=50%VDRM, ITGQ=700A, CS=1.5µF,  
td  
tgt  
tf  
Delay time  
Turn-on time  
Fall time  
-
-
-
0.5  
3
-
5
-
µs  
µs  
0.5  
diGQ/dt=40A/µs, VGR=-16V, (90%ITGQ to 10%ITGQ  
)
tgq  
Turn-off time  
-
5
6.5 Conditions as for tf, (10%IGQ to 10%ITGQ  
Conditions as for tf  
700 Conditions as for tf  
)
µs  
A
Igq  
Turn-off gate current  
Turn-off gate charge  
Tail time  
-
190  
-
Qgq  
ttail  
tgw  
-
-
580  
µC  
µs  
25  
35  
-
Conditions as for tf, (10%ITGQ to ITGQ<1A)  
Conditions as for tf  
Gate off-time (see note 3).  
80  
-
-
µs  
-
0.063 Double side cooled  
0.21 Cathode side cooled  
0.09 Anode side cooled  
9.0 (see note 2)  
-
K/W  
K/W  
K/W  
kN  
g
RthJK  
Thermal resistance junction to sink  
-
-
-
-
-
F
Mounting force  
Weight  
4.5  
-
Wt  
120  
Notes:-  
1) Unless otherwise indicated Tj=125oC.  
2) For other clamping forces, consult factory.  
3) The gate off-time is the period during which the gate circuit is  
required to remain low impedance to allow for the passage  
of tail current.  
Data Sheet. Type H0700KC17# Issue 1  
Page 2 of 15  
April, 2004  
1234567...15

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与H0700KC17F相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
H0700KC17G IXYS Symmetrical GTO SCR, 700A I(T)RMS, 1700V V(DRM), 1105V V(RRM), 1 Element

获取价格
H0700KC17J IXYS Symmetrical GTO SCR, 700A I(T)RMS, 1700V V(DRM), 935V V(RRM), 1 Element

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H0700KC17K IXYS Silicon Controlled Rectifier, 700 A, 1700 V, SYMMETRICAL GTO SCR

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H0700KC17M IXYS Symmetrical GTO SCR, 700A I(T)RMS, 1700V V(DRM), 680V V(RRM), 1 Element

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H0700KC17N IXYS Symmetrical GTO SCR, 700A I(T)RMS, 1700V V(DRM), 595V V(RRM), 1 Element

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