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GVT73512A8J-15

更新时间： 2024-11-19 20:12:31
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 67K
描述
Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36

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GVT73512A8J-15 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.92
最长访问时间：15 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-J36JESD-609代码：e0
长度：23.67 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：36
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：512KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装等效代码：SOJ36,.44
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.76 mm最大待机电流：0.01 A
最小待机电流：3 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.175 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

GVT73512A8J-15 数据手册

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GVT73512A8  
REVOLUTIONARY PINOUT 512K X 8  
GALVANTECH, INC.  
ASYNCHRONOUS  
SRAM  
512K x 8 SRAM  
+3.3V SUPPLY  
REVOLUTIONARY PINOUT  
FEATURES  
GENERAL DESCRIPTIO N  
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
Fast access times: 10, 12 and 15ns  
Fast OE# access times: 5, 6and 7ns  
Single +3.3V +0.3V power supply  
Fully static -- no clock or timing strobes necessary  
All inputs and outputs are TTL-compatible  
Three state outputs  
Center power and ground pins for greater noise immunity  
JEDEC standard for functionality and revolutionary pinout  
Easy memory expansion with CE# and OE# options  
Automatic CE# power down  
The GVT73512A8 is organized as a 524,288 x 8 SRAM  
using a four-transistor memory cell with a high performance,  
silicon gate, low-power CMOS process. Galvantech SRAMs  
are fabricated using double-layer polysilicon, double-layer  
metal technology.  
This device offers center power and ground pins for  
improved performance and noise immunity. Static design  
eliminates the need for external clocks or timing strobes. For  
increased system flexibility and eliminating bus contention  
problems, this device offers chip enable (CE#) and output  
enable (OE#) with this organization.  
Writing to these devices is accomplished when write  
enable (WE#) and chip enable (CE#) inputs are both LOW.  
Reading is accomplished when (CE#) and (OE#) go LOW  
with (WE#) remaining HIGH. The device offers a low power  
standby mode when chip is not selected. This allows system  
designers to meet low standby power requirements.  
High-performance, low-power consumption, CMOS  
double-poly, double-metal process  
OPTIONS  
•
MARKING  
Timing  
10ns access  
12ns access  
15ns access  
-10  
-12  
-15  
•
•
Packages  
36-pin SOJ (400 mil)  
PIN ASSIGNMENT  
36-Pin SOJ  
J
Power consumption  
Standard  
Low  
1
2
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
A0  
A1  
A2  
A3  
A4  
CE#  
DQ1  
DQ2  
VCC  
VSS  
DQ3  
DQ4  
WE#  
A5  
NC  
None  
L
A18  
A17  
A16  
A15  
OE#  
DQ8  
DQ7  
VSS  
VCC  
DQ6  
DQ5  
A14  
A13  
A12  
A11  
A10  
NC  
3
4
•
Temperature  
Commercial  
Industrial  
5
None (0°C to 70°C)  
I
6
(-40°C to 85°C)  
7
8
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
A6  
A7  
A8  
A9  
Galvantech, Inc. reserves the right to chaneg  
products or specifications without notic.e  
Galvantech, Inc. 3080 Oakmead Village Drive, Santa Clara, CA 95051  
Tel (408) 566-0688 Fax (408) 566-0699 Web Site http://www.galvantech.com  
Rev. 1/99  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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