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GURB5H60-HE3/81

更新时间： 2024-11-21 14:42:27
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
5页 129K
描述
DIODE 5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode

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GURB5H60-HE3/81 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：D2PAK
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.75
Is Samacsys：NBase Number Matches：1

GURB5H60-HE3/81 数据手册

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GUR5H60, GURF5H60 & GURB5H60  
Vishay General Semiconductor  
Ultrafast Rectifier  
FEATURES  
TO-220AC  
ITO-220AC  
• Glass passivated chip junction  
• Ultrafast recovery time  
• Low switching losses, high efficiency  
• High forward surge capability  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020,  
LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB  
package)  
2
2
1
1
GUR5H60  
PIN 1  
GURF5H60  
PIN 1  
• Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AC and  
ITO-220AC package)  
CASE  
PIN 2  
PIN 2  
TO-263AB  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
K
TYPICAL APPLICATIONS  
2
For use in high voltage and high frequency power  
factor corrector, freewheeling diodes and secondary  
dc-to-dc rectification application.  
1
GURB5H60  
PIN 1  
K
PIN 2  
HEATSINK  
MECHANICAL DATA  
Case: TO-220AC, ITO-220AC, TO-263AB  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
trr  
5.0 A  
600 V  
90 A  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class  
1A whisker test, HE3 suffix for high reliability grade  
(AEC Q101 qualified), meets JESD 201 class 2  
whisker test  
30 ns  
1.6 V  
VF  
TJ max.  
150 °C  
Polarity: As marked  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
C
PARAMETER  
SYMBOL  
VALUE  
600  
480  
420  
600  
5
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum working reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRWM  
VRMS  
VDC  
V
V
V
V
A
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward rectified current  
IF(AV)  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
90  
A
Reverse energy  
ER  
10  
mJ  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 55 to + 150  
Isolation voltage (ITO-220AC only)  
from terminal to heatsink t = 1 min  
VAC  
1500  
V
Document Number: 88650  
Revision: 06-Aug-07  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GURF5H60 VISHAY

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 		Ultrafast Rectifiers
GURF5H60/45 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 5A, 600V V(RRM)
GURF5H60-45 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 600V V(RRM), Silicon, TO-220AC, PLASTIC, ITO-220A
GURF5H60-E3/45 VISHAY

获取价格

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GURF5H60HE3/45 VISHAY

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 		Ultrafast Rectifier
GURF5H60-HE3/45 VISHAY

获取价格

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GURUGX10D SUNLED

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