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GSGP0260SD

更新时间： 2024-11-21 19:49:35

品牌	Logo	应用领域
固锝 - GOOD-ARK		光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	621K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 60V V(RRM), Silicon,

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GSGP0260SD 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.73	其他特性：	LOW LEAKAGE CURRENT
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.7 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
最大非重复峰值正向电流：	40 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压：	60 V	最大反向电流：	200 µA
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

GSGP0260SD 数据手册

GSGP0260SD

Surface Mount Schottky Rectifier

Reverse Voltage 60V Forward Current 2A

Features

• Low forward voltage drop

• Low leakage current

• Moisture sensitivity: level 1, per J-STD-020

• Solder dip 260 °C, 10 s

Package: eSGP

(SOD‐323F)

• Low profile, typical thickness 1.0mm

Applications

For use in fast swiching in RF module, lighting, cell phone, portable

devices, power supplie and other consumer applications.

Maximum Ratings (T_A= 25°C unless otherwise noted)

Value

Unit

Parameter

Symbol

Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

Maximum DC Blocking Voltage

Maximum Average Forward Rectified Current

Peak Forward Surge Current (8.3 ms single half

sine-wave superimposed on rated load)

Operation Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

2.0

V_RRM

V_RMS

V_DC

I_F(AV)

I_FSM

- 55 to + 150

°C

T_J

T_STG

- 55 to + 150

Electrical Characteristics (T_A= 25°C unless otherwise noted)

Value

Unit

Parameter

Test Conditions Symbol

Maximum Instantaneous

Forward Voltage

V_F

0.70

I_F=2A

Maximum DC Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage

0.2

T_A=25℃

I_R

C_J

Typical Junction Capacitance

4.0 V, 1 MHz

Juntion to Mount

Typical Thermal Resistance¹⁾

℃/W

R_θJM

Note:1) The thermal resistance from junction to mount, mounted on P.C.B with 5×5mm copper pads, 2 OZ, FR4 PCB

1/3

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