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GS8662TT06BD-500T

更新时间: 2024-02-22 20:24:29
品牌 Logo 应用领域
GSI 时钟双倍数据速率静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
31页 437K
描述
DDR SRAM, 8MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165

GS8662TT06BD-500T 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:BGA
包装说明:LBGA, BGA165,11X15,40针数:165
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.2.B
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.21
最长访问时间:0.45 ns其他特性:PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK):500 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PBGA-B165JESD-609代码:e0
长度:15 mm内存密度:67108864 bit
内存集成电路类型:DDR SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:165
字数:8388608 words字数代码:8000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:8MX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LBGA封装等效代码:BGA165,11X15,40
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:1.5/1.8,1.8 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.4 mm最大待机电流:0.26 A
最小待机电流:1.7 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.76 mA最大供电电压 (Vsup):1.9 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:BALL端子节距:1 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:13 mmBase Number Matches:1

GS8662TT06BD-500T 数据手册

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GS8662TT20/38BD-550/500/450/400/350  
GS8662TT06/11BD-500/450/400/350  
8M x 9 SigmaDDR-II+ SRAM—Top View  
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SA  
SA  
QVLD  
ODT  
SA  
SA  
NC  
DQ0  
TDI  
TCK  
TMS  
2
11 x 15 Bump BGA—13 x 15 mm Body—1 mm Bump Pitch  
Notes:  
3. BW0 controls writes to DQ0:DQ8.  
4. Pins A7 and B5 are the expansion addresses.  
Rev: 1.00a 11/2011  
4/31  
© 2011, GSI Technology  
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.  

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