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GS8342T36E-167

更新时间： 2024-01-05 11:59:10
品牌 Logo 应用领域
GSI 静态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
37页 1722K
描述
36Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 2 SRAM

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GS8342T36E-167 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：LBGA,针数：165
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.B
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.77
Is Samacsys：N最长访问时间：0.5 ns
其他特性：PIPELINED ARCHITECTUREJESD-30 代码：R-PBGA-B165
长度：17 mm内存密度：37748736 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：36
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：165字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：1MX36封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LBGA封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.4 mm最大供电电压 (Vsup)：1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：BALL
端子节距：1 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：15 mm
Base Number Matches：1

GS8342T36E-167 数据手册

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Preliminary  
GS8342T08/09/18/36E-333/300/267*/250/200/167  
1M x 36 SigmaCIO DDR-II SRAM—Top View  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
11  
MCL/SA  
(144Mb)  
MCL/SA  
(72Mb)  
A
CQ  
SA  
R/W  
BW2  
K
BW1  
LD  
SA  
CQ  
B
C
D
E
F
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
Doff  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
TDO  
DQ27  
NC  
DQ18  
DQ28  
DQ19  
DQ20  
DQ21  
DQ22  
SA  
BW3  
SA  
K
BW0  
SA1  
SA  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
DQ17  
NC  
DQ8  
DQ7  
DQ16  
DQ6  
DQ5  
DQ14  
ZQ  
V
V
SA0  
V
SS  
SS  
SS  
SS  
DQ29  
NC  
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
SS  
SS  
DD  
DD  
DD  
DD  
DD  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
DD  
DD  
DD  
DD  
DD  
V
V
V
V
V
V
V
V
DQ15  
NC  
DDQ  
DDQ  
DDQ  
DDQ  
DDQ  
DDQ  
DDQ  
DDQ  
DQ30  
DQ31  
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
DDQ  
DDQ  
DDQ  
DDQ  
DDQ  
G
H
J
V
V
V
NC  
V
V
V
V
REF  
REF  
DDQ  
DDQ  
NC  
NC  
DQ32  
DQ23  
DQ24  
DQ34  
DQ25  
DQ26  
SA  
NC  
DQ13  
DQ12  
NC  
DQ4  
DQ3  
DQ2  
DQ1  
DQ10  
DQ0  
TDI  
K
L
V
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
SA  
DQ33  
NC  
V
V
V
V
V
DDQ  
SS  
SS  
SS  
SS  
M
N
P
R
V
V
DQ11  
NC  
SS  
SS  
SS  
SS  
DQ35  
NC  
V
SA  
SA  
SA  
SA  
C
SA  
SA  
SA  
V
SA  
SA  
SA  
SA  
DQ9  
TMS  
TCK  
C
2
11 x 15 Bump BGA—13 x 15 mm Body—1 mm Bump Pitch  
Notes:  
1. BW0 controls writes to DQ0:DQ8; BW1 controls writes to DQ9:DQ17; BW2 controls writes to DQ18:DQ26; BW3 controls writes to  
DQ27:DQ35  
2. MCL = Must Connect Low  
Rev: 1.02 8/2005  
2/37  
© 2003, GSI Technology  
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.  
1234567...37

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与GS8342T36E-167相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
GS8342T36E-167I GSI 36Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 2 SRAM

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GS8342T36E-167T GSI Standard SRAM, 1MX36, 0.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165

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