是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | BGA, | 针数: | 209 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.B |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 2.25 ns | 其他特性: | PIPELINED ARCHITECTURE |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B209 | JESD-609代码: | e1 |
长度: | 22 mm | 内存密度: | 37748736 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 72 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 209 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 512KX72 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | BGA | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 认证状态: | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup): | 1.95 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | TIN SILVER COPPER | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 14 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
GS8330DW72GC-200T | GSI | Standard SRAM, 512KX72, 2.25ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209 |
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GS8330DW72GC-250IT | GSI | Standard SRAM, 512KX72, 2.1ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209 |
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GS8330DW72GC-250T | GSI | Standard SRAM, 512KX72, 2.1ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209 |
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GS8330LW36C | GSI | 36Mb ヒ1x1Lp CMOS I/O Late Write SigmaRAM |
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GS8330LW36C-200 | GSI | 36Mb ヒ1x1Lp CMOS I/O Late Write SigmaRAM |
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GS8330LW36C-200I | GSI | 36Mb ヒ1x1Lp CMOS I/O Late Write SigmaRAM |
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