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GS8330DW72GC-200

更新时间： 2024-02-28 01:15:10
品牌 Logo 应用领域
GSI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
30页 583K
描述
Standard SRAM, 512KX72, 2.25ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209

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GS8330DW72GC-200 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：BGA,针数：209
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.B
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.84
最长访问时间：2.25 ns其他特性：PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码：R-PBGA-B209JESD-609代码：e1
长度：22 mm内存密度：37748736 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：72
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：209字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：512KX72封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：BGA封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：1.95 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：BALL
端子节距：1 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：14 mm
Base Number Matches：1

GS8330DW72GC-200 数据手册

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Preliminary  
GS8330DW36/72C-250/200  
SigmaRAM Pinouts  
512K x 72 Common I/O—Top View  
1
2
3
4
5
A
6
ADV  
W
7
A
8
9
A
10  
11  
A
B
C
DQg  
DQg  
DQg  
DQg  
DQg  
DQg  
A
E2  
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Bd  
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A
Bf  
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(144M)  
D
E
F
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G
H
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EP2  
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V
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A
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A
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A
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SS  
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U
NC  
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NC  
(72M)  
V
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DQd  
DQd  
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A
A
A
A
A1  
A0  
A
A
A
A
DQe  
DQe  
DQe  
DQe  
W
• 2002.06  
•
TMS  
TDI  
TDO  
TCK  
2
11 x 19 Bump BGA—14 x 22 mm Body—1 mm Bump Pitch  
Note:  
Users of CMOS I/O SigmaRAMs may wish to connect “NC, V ” and the “NC, CK” pins to V  
(i.e., V  
/2) to  
DDQ  
REF  
REF  
allow alternate use of future HSTL I/O SigmaRAMs.  
Rev: 1.00 6/2003  
2/30  
© 2003, GSI Technology, Inc.  
Specifications cited are design targets and are subject to change without notice. For latest documentation contact your GSI representative.  
1234567...30

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与GS8330DW72GC-200相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
GS8330DW72GC-200T GSI Standard SRAM, 512KX72, 2.25ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209

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GS8330DW72GC-250IT GSI Standard SRAM, 512KX72, 2.1ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209

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