是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | BGA, | 针数: | 209 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.B |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.92 |
最长访问时间: | 2.1 ns | 其他特性: | PIPELINED ARCHITECTURE |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B209 | 长度: | 22 mm |
内存密度: | 37748736 bit | 内存集成电路类型: | LATE-WRITE SRAM |
内存宽度: | 72 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 209 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 512KX72 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | BGA |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 最大供电电压 (Vsup): | 1.95 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 14 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
GS8330LW72C-250T | GSI | 暂无描述 |
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GS8330LW72GC-200 | GSI | Late-Write SRAM, 512KX72, 2.25ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209 |
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GS8330LW72GC-200I | GSI | Late-Write SRAM, 512KX72, 2.25ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209 |
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GS8330LW72GC-200IT | GSI | Late-Write SRAM, 512KX72, 2.25ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209 |
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GS8330LW72GC-200T | GSI | Late-Write SRAM, 512KX72, 2.25ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209 |
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GS8330LW72GC-250 | GSI | Late-Write SRAM, 512KX72, 2.1ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209 |
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