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GS8321Z32AGD-250IVT

更新时间： 2024-01-28 03:29:50
品牌 Logo 应用领域
GSI 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
31页 465K
描述
ZBT SRAM, 1MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165

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GS8321Z32AGD-250IVT 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：BGA
包装说明：LBGA, BGA165,11X15,40针数：165
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.B
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.14
最长访问时间：5.5 ns其他特性：ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY, PIPELINED ARCHITECTURE, FLOW THROUGH
最大时钟频率 (fCLK)：250 MHzI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PBGA-B165JESD-609代码：e1
长度：15 mm内存密度：33554432 bit
内存集成电路类型：ZBT SRAM内存宽度：32
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：165字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：1MX32输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LBGA
封装等效代码：BGA165,11X15,40封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：1.8/2.5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.4 mm
最大待机电流：0.04 A最小待机电流：1.7 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.24 mA
最大供电电压 (Vsup)：2 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：BALL
端子节距：1 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：13 mm
Base Number Matches：1

GS8321Z32AGD-250IVT 数据手册

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GS8321Z18/32/36AD-xxxV  
165 Bump BGA—x32 Common I/O—Top View (Package D)  
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TMS  
A
A
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11 x 15 Bump BGA—13 mm x 15 mm Body—1.0 mm Bump Pitch  
Rev: 1.03 8/2013  
3/31  
© 2011, GSI Technology  
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.  
1234567...31

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与GS8321Z32AGD-250IVT相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
GS8321Z32AGD-250V GSI ZBT SRAM, 1MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165

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GS8321Z32AGD-250VT GSI ZBT SRAM, 1MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165

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