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GS8321Z18E-166V

更新时间： 2024-02-04 12:04:38

品牌	Logo	应用领域
GSI		存储内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
32页	1537K
描述
36Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAMs

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GS8321Z18E-166V 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165	针数：	165
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.B
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.71
最长访问时间：	7 ns	其他特性：	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY
JESD-30 代码：	R-PBGA-B165	长度：	17 mm
内存密度：	37748736 bit	内存集成电路类型：	ZBT SRAM
内存宽度：	18	功能数量：	1
端子数量：	165	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2MX18	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.5 mm	最大供电电压 (Vsup)：	2 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	15 mm
Base Number Matches：	1

GS8321Z18/32/36E-xxxV

GS8321Z18/32/36E-xxxV NBT SRAM Functional Block Diagram

n s e e S A m p

i t r e W D r i v e r

Rev: 1.05 6/2006

6/32

Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
GS8321Z18E-166VT	GSI	ZBT SRAM, 2MX18, 7ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165	获取价格
GS8321Z18E-200	GSI	36Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAMs	获取价格
GS8321Z18E-200I	GSI	36Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAMs	获取价格
GS8321Z18E-200IT	GSI	ZBT SRAM, 2MX18, 7.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165	获取价格
GS8321Z18E-200IV	GSI	36Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAMs	获取价格
GS8321Z18E-200IVT	GSI	ZBT SRAM, 2MX18, 6.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165	获取价格