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GS8321Z18AD-333V

更新时间： 2024-01-04 19:13:05

品牌	Logo	应用领域
GSI		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
31页	465K
描述
ZBT SRAM, 2MX18, 5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165

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GS8321Z18AD-333V 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BGA
包装说明：	LBGA, BGA165,11X15,40	针数：	165
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.B
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.11
最长访问时间：	5 ns	其他特性：	ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY, PIPELINED ARCHITECTURE, FLOW THROUGH
最大时钟频率 (fCLK)：	333 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B165	JESD-609代码：	e0
长度：	15 mm	内存密度：	37748736 bit
内存集成电路类型：	ZBT SRAM	内存宽度：	18
功能数量：	1	端子数量：	165
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2MX18
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LBGA	封装等效代码：	BGA165,11X15,40
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.8/2.5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.4 mm	最大待机电流：	0.03 A
最小待机电流：	1.7 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.265 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	13 mm	Base Number Matches：	1

GS8321Z18AD-333V 数据手册

GS8321Z18/32/36AD-xxxV

333 MHz–150 MHz

165-Bump BGA

Commercial Temp

Industrial Temp

36Mb Pipelined and Flow Through

Synchronous NBT SRAM

1.8 V or 2.5 V V

1.8 V or 2.5 V I/O

Because it is a synchronous device, address, data inputs, and

read/ write control inputs are captured on the rising edge of the

input clock. Burst order control (LBO) must be tied to a power

rail for proper operation. Asynchronous inputs include the

Sleep mode enable, ZZ and Output Enable. Output Enable can

be used to override the synchronous control of the output

drivers and turn the RAM's output drivers off at any time.

Write cycles are internally self-timed and initiated by the rising

edge of the clock input. This feature eliminates complex off-

chip write pulse generation required by asynchronous SRAMs

and simplifies input signal timing.

Features

• User-configurable Pipeline and Flow Through mode

• NBT (No Bus Turn Around) functionality allows zero wait

read-write-read bus utilization

• Fully pin-compatible with both pipelined and flow through

NtRAM™, NoBL™ and ZBT™ SRAMs

• IEEE 1149.1 JTAG-compatible Boundary Scan

• 1.8 V or 2.5 V core power supply

• 1.8 V or 2.5 V I/O supply

• LBO pin for Linear or Interleave Burst mode

• Pin-compatible with 2Mb, 4Mb, 8Mb, and 18Mb devices

• Byte write operation (9-bit Bytes)

The GS8321Z18/32/36AD-xxxV may be configured by the

user to operate in Pipeline or Flow Through mode. Operating

as a pipelined synchronous device, in addition to the rising-

edge-triggered registers that capture input signals, the device

incorporates a rising-edge-triggered output register. For read

cycles, pipelined SRAM output data is temporarily stored by

the edge triggered output register during the access cycle and

then released to the output drivers at the next rising edge of

clock.

• 3 chip enable signals for easy depth expansion

• ZZ pin for automatic power-down

• JEDEC-standard 165-bump BGA package

• RoHS-compliant 165-bump BGA package available

Functional Description

The GS8321Z18/32/36AD-xxxV is a 36Mbit Synchronous

Static SRAM. GSI's NBT SRAMs, like ZBT, NtRAM, NoBL

or other pipelined read/double late write or flow through read/

single late write SRAMs, allow utilization of all available bus

bandwidth by eliminating the need to insert deselect cycles

when the device is switched from read to write cycles.

The GS8321Z18/32/36AD-xxxV is implemented with GSI's

high performance CMOS technology and is available in

JEDEC-standard 165-bump FP-BGA package.

Parameter Synopsis

-333

-250

-200

-150

Unit

3.0

4.0

3.0

5.0

3.8

6.7

Pipeline

3-1-1-1

tCycle

Curr (x18)

Curr (x32/x36)

365

425

290

345

250

290

215

240

5.0

5.5

6.5

7.5

Flow

Through

2-1-1-1

tCycle

Curr (x18)

Curr (x32/x36)

270

315

245

280

210

250

200

230

Rev: 1.03 8/2013

1/31

Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
GS8321Z18AD-333VT	GSI	ZBT SRAM, 2MX18, 5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165	获取价格
GS8321Z18AD-375	GSI	165 BGA	获取价格
GS8321Z18AD-375I	GSI	165 BGA	获取价格
GS8321Z18AD-400	GSI	165 BGA	获取价格
GS8321Z18AD-400I	GSI	165 BGA	获取价格
GS8321Z18AGD-150	GSI	165 BGA	获取价格

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