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GS81302T18E-333

更新时间： 2022-12-29 21:21:46
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GSI 双倍数据速率静态存储器
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36页 483K
描述
144Mb SigmaDDRTM-II Burst of 2 SRAM

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GS81302T18E-333 数据手册

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GS81302T08/09/18/36E-375/350/333/300/250  
8M x 18 SigmaDDR-II SRAM—Top View  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
11  
A
B
CQ  
SA  
SA  
R/W  
BW1  
K
SA  
LD  
SA  
SA  
CQ  
NC/SA  
(288Mb)  
NC  
DQ9  
NC  
SA  
K
BW0  
SA  
SA  
NC  
NC  
DQ8  
C
D
E
F
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
Doff  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
TDO  
NC  
NC  
NC  
V
V
SA  
SA0  
V
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
DQ7  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
SS  
SS  
SS  
SS  
DQ10  
DQ11  
NC  
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
SS  
SS  
DD  
DD  
DD  
DD  
DD  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
DD  
DD  
DD  
DD  
DD  
NC  
V
V
V
V
V
V
V
V
DQ6  
DQ5  
NC  
DDQ  
DDQ  
DDQ  
DDQ  
DDQ  
DDQ  
DDQ  
DDQ  
DQ12  
NC  
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
DDQ  
DDQ  
DDQ  
DDQ  
DDQ  
G
H
J
DQ13  
V
V
V
V
V
V
V
REF  
ZQ  
REF  
DDQ  
DDQ  
NC  
NC  
NC  
DQ14  
NC  
NC  
DQ4  
NC  
NC  
K
L
V
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
SA  
DQ3  
DQ2  
NC  
DQ15  
NC  
V
V
V
V
V
NC  
DDQ  
SS  
SS  
SS  
SS  
M
N
P
R
NC  
V
V
DQ1  
NC  
SS  
SS  
SS  
SS  
NC  
DQ16  
DQ17  
SA  
V
SA  
SA  
SA  
SA  
C
SA  
SA  
SA  
V
NC  
NC  
SA  
SA  
SA  
SA  
NC  
DQ0  
TDI  
TCK  
C
TMS  
2
11 x 15 Bump BGA—13 x 15 mm Body—1 mm Bump Pitch  
Notes:  
1. BW0 controls writes to DQ0:DQ8; BW1 controls writes to DQ9:DQ17.  
2. B5 is the expansion address.  
Rev: 1.03b 12/2011  
3/35  
© 2011, GSI Technology  
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.  
1234567...36

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