是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 | 针数: | 165 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.B |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.82 |
最长访问时间: | 0.45 ns | 其他特性: | PIPELINED ARCHITECTURE |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B165 | JESD-609代码: | e1 |
长度: | 17 mm | 内存密度: | 134217728 bit |
内存集成电路类型: | DDR SRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 165 | 字数: | 16777216 words |
字数代码: | 16000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 16MX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LBGA | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.5 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 1 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 15 mm |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
GS81302T08GE-200IT | GSI |
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DDR SRAM, 16MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 |
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GS81302T08GE-200T | GSI |
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DDR SRAM, 16MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 |
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GS81302T08GE-250 | GSI |
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165 BGA |
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GS81302T08GE-250I | GSI |
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165 BGA |
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GS81302T08GE-300 | GSI |
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DDR SRAM, 16MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 |
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GS81302T08GE-300I | GSI |
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165 BGA |
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GS81302T08GE-300IT | GSI |
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DDR SRAM, 16MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 |
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GS81302T08GE-333 | GSI |
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165 BGA |
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GS81302T08GE-333I | GSI |
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165 BGA |
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GS81302T08GE-350 | GSI |
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165 BGA |
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