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GS81302S18E-200

更新时间： 2024-02-06 07:01:35
品牌 Logo 应用领域
GSI 双倍数据速率静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
38页 526K
描述
DDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 17 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165

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GS81302S18E-200 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：17 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165针数：165
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.B
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.63
Is Samacsys：N最长访问时间：0.45 ns
其他特性：PIPELINED ARCHITECTUREJESD-30 代码：R-PBGA-B165
长度：17 mm内存密度：75497472 bit
内存集成电路类型：DDR SRAM内存宽度：18
功能数量：1端子数量：165
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：4MX18
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.5 mm
最大供电电压 (Vsup)：1.9 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：BALL端子节距：1 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：15 mmBase Number Matches：1

GS81302S18E-200 数据手册

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Preliminary  
GS81302S08/09/18/36E-333/300/250/200/167  
16M x 9 SigmaQuad SRAM—Top View  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
11  
A
B
CQ  
SA  
SA  
R/W  
NC  
K
SA  
LD  
SA  
SA  
CQ  
NC/SA  
(288Mb)  
NC  
NC  
NC  
SA  
K
BW0  
SA  
SA  
NC  
NC  
Q4  
C
D
E
F
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
Doff  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
TDO  
NC  
D5  
NC  
NC  
D6  
NC  
NC  
Q5  
NC  
Q6  
V
V
SA  
SA  
V
NC  
NC  
NC  
NC  
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NC  
NC  
D3  
D4  
NC  
Q3  
NC  
NC  
ZQ  
D2  
SS  
SS  
SS  
SS  
V
V
V
V
V
V
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G
H
J
V
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V
REF  
REF  
DDQ  
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NC  
NC  
NC  
Q2  
K
L
NC  
Q7  
NC  
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NC  
NC  
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SA  
V
NC  
NC  
NC  
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SA  
NC  
NC  
NC  
Q1  
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V
V
V
V
V
DDQ  
SS  
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M
N
P
R
NC  
D8  
V
V
NC  
SS  
SS  
SS  
SS  
V
SA  
SA  
SA  
SA  
C
SA  
SA  
SA  
V
NC  
NC  
NC  
TDI  
NC  
TCK  
SA  
SA  
SA  
SA  
D0  
C
TMS  
2
11 x 15 Bump BGA—15 x 17 mm Body—1 mm Bump Pitch  
Notes:  
1. BW0 controls writes to D0:D7.  
2. B5 is the expansion address.  
Rev: 1.01a 6/2010  
3/38  
© 2007, GSI Technology  
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.  
1234567...38

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与GS81302S18E-200相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
GS81302S18E-200I GSI DDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 17 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165

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GS81302S18E-200T GSI DDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 17 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165

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