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GRM188R71H104KA93

更新时间： 2024-11-21 01:17:35
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Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

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Document Number: MMA20312BV  
Rev. 2, 9/2014  
Freescale Semiconductor  
Technical Data  
Heterojunction Bipolar Transistor  
Technology (InGaP HBT)  
MMA20312BVT1  
High Efficiency/Linearity Amplifier  
The MMA20312BV is a 2--stage high efficiency, Class AB InGaP HBT  
amplifier designed for use as a linear driver amplifier in wireless base station  
applications as well as an output stage in femtocell or repeater applications. It  
is suitable for applications with frequencies from 1800 to 2200 MHz such as  
CDMA, TD--SCDMA, PCS, UMTS and LTE at operating voltages from 3 to 5 V.  
The amplifier is housed in a cost--effective, surface mount QFN plastic package.  
1800--2200 MHz, 27.2 dB  
30.5 dBm  
InGaP HBT LINEAR AMPLIFIER  
Typical Performance: VCC = 5 Vdc, ICQ = 70 mA, Pout = 17 dBm  
G
ACPR  
(dBc)  
PAE  
(%)  
ps  
Frequency  
1880 MHz  
1920 MHz  
2010 MHz  
2025 MHz  
2140 MHz  
(dB)  
29.0  
29.0  
27.4  
26.8  
27.0  
Test Signal  
TD--SCDMA  
TD--SCDMA  
TD--SCDMA  
TD--SCDMA  
W--CDMA  
--47.4  
--46.7  
--52.0  
--50.0  
--51.7  
9.1  
9.0  
9.3  
9.5  
9.4  
QFN 3 3  
Features  
Frequency: 1800--2200 MHz  
P1dB: 30.5 dBm @ 2140 MHz (CW Application Circuit)  
Power Gain: 26.4 dB @ 2140 MHz (CW Application Circuit)  
OIP3: 44.5 dBm @ 2140 MHz (W--CDMA Application Circuit)  
Active Bias Control (adjustable externally)  
Single 3 to 5 V Supply  
Cost--effective 12--pin, 3 mm QFN Surface Mount Plastic Package  
In Tape and Reel. T1 Suffix = 1,000 Units, 12 mm Tape Width, 7--inch Reel.  
Table 1. Typical Performance (1)  
Table 2. Maximum Ratings  
Rating  
Supply Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
V
1800 2140 2200  
Characteristic  
Symbol MHz  
MHz  
MHz Unit  
V
6
550  
CC  
CC  
Small--Signal Gain  
(S21)  
G
28.8  
26.4  
25.5  
dB  
dB  
dB  
p
Supply Current  
I
mA  
dBm  
C  
RF Input Power  
P
14  
in  
Input Return Loss  
(S11)  
IRL  
ORL  
P1dB  
--17.6 --10.9 -- 9 . 7  
--20.3 --14.7 --13.7  
Storage Temperature Range  
Junction Temperature  
T
stg  
--65 to +150  
175  
Output Return Loss  
(S22)  
T
J
C  
Power Output @ 1dB  
Compression  
30.5  
30.5  
30.5 dBm  
1. V  
= V  
= V  
= 5 Vdc, T = 25C, 50 ohm system,  
BIAS A  
CC1  
CC2  
CW Application Circuit  
Table 3. Thermal Characteristics  
(2)  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
C/W  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
52  
JC  
Case Temperature 86C, V = V  
= V  
= 5 Vdc  
BIAS  
CC1  
CC2  
2. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.  
Select Documentation/Application Notes -- AN1955.  
Freescale Semiconductor, Inc., 2011, 2014. All rights reserved.  
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