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GR1BF4 PDF预览

GR1BF4

更新时间： 2024-11-18 15:33:23
品牌 Logo 应用领域
扬杰 - YANGJIE 光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 647K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2 PIN

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GR1BF4 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：SMA, 2 PINReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.76其他特性：FREE WHEELING DIODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-214AC
JESD-30 代码：R-PDSO-C2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向恢复时间：0.15 µs
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

GR1BF4 数据手册

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RoHS  
GR1A THRU GR1M  
COMPLIANT  
Surface Mount Fast Recovery Rectifier  
Features  
● Low profile package  
● Ideal for automated placement  
● Glass passivated chip junction  
● High forward surge capability  
● Fast reverse recovery time  
● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak  
of 260 °C  
Typical Applications  
For use in fast switching rectification of power  
supplies, inverters, converters, and freewheeling diodes for  
consumer, and telecommunication.  
Mechanical Data  
●
ackage: DO-  
P
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability  
rating, RoHS-compliant, halogen-free  
● Terminals: Tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
●
Cathode line denotes the cathode end  
Polarity:  
(T =25℃ Unless otherwise specified  
■
Maximum Ratings  
）
a
GR1A  
GR1A  
50  
GR1B  
GR1B  
100  
GR1D  
GR1D  
200  
GR1G  
GR1G  
400  
GR1J  
GR1J  
600  
GR1K  
GR1K  
800  
GR1M  
GR1M  
1000  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNIT  
Device marking code  
V
V
A
Repetitive peak reverse voltage  
RRM  
Average rectified output current  
@60Hz sine wave, Resistance load, Ta (FIG.1)  
I
O
1.0  
Surge(non-repetitive)forward current  
@ 60Hz Half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃  
I
A
FSM  
30  
T
Storage temperature  
Junction temperature  
℃
℃
stg  
-55~+150  
-55 ~ +150  
T
j
（T =25℃ Unless otherwise specified）  
■Electrical Characteristics  
a
TEST  
CONDITIONS  
GR1A  
GR1B  
GR1D GR1G  
GR1J  
GR1K  
GR1M  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNIT  
Maximum instantaneous  
forward voltage drop per diode  
V
I
=1.0A  
FM  
V
F
1.3  
IF=0.5A,IR=1.0A,  
Irr=0.25A  
Maximum reverse recovery time  
TRR  
ns  
150  
250  
500  
T =25℃  
5
a
Maximum DC reverse current  
at rated DC blocking voltage  
per diode@ VRM=VRRM  
I
μA  
RRM  
Ta=125℃  
100  
1 / 4  
S-S1101  
Rev1.3, 27-Feb-17  
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.  
www.21yangjie.com  
1234

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与GR1BF4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GR1BF6 YANGJIE

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2 PIN
GR1B-S GOOD-ARK

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AC, PLASTIC, SMAJ, 2 PIN
GR1C100MC110A00CE0 HWE

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