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GP30K-E3/23

更新时间： 2024-01-08 17:22:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 高压二极管
页数 文件大小 规格书
4页 85K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

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GP30K-E3/23 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-201AD包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.56其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：HIGH VOLTAGE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-201AD
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：125 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：800 V最大反向恢复时间：5 µs
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

GP30K-E3/23 数据手册

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GP30A thru GP30M  
Vishay General Semiconductor  
Glass Passivated Junction Plastic Rectifiers  
FEATURES  
• Superectifier structure for High Reliability  
condition  
• Cavity-free glass-passivated junction  
• Low leakage current, typical I less than 0.1 µA  
R
• Low forward voltage drop  
• High forward surge capability  
DO-201AD  
• Meets environmental standard MIL-S-19500  
• Solder Dip 260 °C, 40 seconds  
* Glass-plastic encapsulation  
technique is covered by  
Patent No. 3,996,602, and  
brazed-lead assembly by  
Patent No. 3,930,306  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in high voltage rectification of power supply,  
inverters, converters, freewheeling diodes and  
snubber circuit application.  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
IR  
3.0 A  
50 V to 1000 V  
125 A  
MECHANICAL DATA  
Case: DO-201AD, molded epoxy over glass body  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002B and JESD22-B102D  
5.0 µA  
VF  
1.2 V, 1.1 V  
175 °C  
Tj max.  
E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high  
reliability grade (AEC Q101 qualified)  
Polarity: Color band denotes cathode end  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL GP30A GP30B GP30D GP30G GP30J GP30K GP30M UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
V
V
V
Maximum DC blocking voltage  
100  
1000  
Maximum average forward rectified current 0.375"  
(9.5 mm) lead length at TA = 55 °C  
IF(AV)  
3.0  
A
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load  
IFSM  
125  
Maximum full load reverse current, full cycle average  
0.375" (9.5 mm) lead length at TA = 55 °C  
IR(AV)  
100  
µA  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 65 to + 175  
Document Number 88640  
23-May-06  
www.vishay.com  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GP30K-E3/4G VISHAY

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 		DIODE 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
GP30K-E3/4H VISHAY

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 		DIODE 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
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GP30K-E3/60 VISHAY

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 		DIODE 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
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 		DIODE 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
GP30K-E3/64 VISHAY

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 		DIODE 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
GP30K-E3/66 VISHAY

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 		DIODE 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
GP30K-E3/73 VISHAY

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 		DIODE 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, R

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