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GMM3X60-015X2-SMD

更新时间： 2024-11-24 21:16:23
品牌 Logo 应用领域
IXYS /
页数 文件大小 规格书
6页 264K
描述
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 150V, 0.024ohm, 6-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

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GMM3X60-015X2-SMD 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G24
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.76外壳连接：ISOLATED
配置：3 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：57 A最大漏极电流 (ID)：50 A
最大漏源导通电阻：0.024 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G24JESD-609代码：e2
元件数量：6端子数量：24
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：TIN SILVER
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

GMM3X60-015X2-SMD 数据手册

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GMM3x60-015X2  
VDSS  
ID25  
= 150 V  
= 50 A  
Three phase full Bridge  
with Trench MOSFETs  
in DCB isolated high current package  
RDSon typ. = 19 mW  
L1+  
G3  
L2+  
G5  
L3+  
L3  
G1  
S1  
S3  
L1  
S5  
L2  
G2  
S2  
G4  
G6  
S4  
S6  
L1-  
L2-  
L3-  
Applications  
MOSFETs  
AC drives  
• in automobiles  
Symbol  
VDSS  
Conditions  
Maximum Ratings  
TVJ = 25°C to 150°C  
150  
V
- electric power steering  
- starter generator  
• in industrial vehicles  
- propulsion drives  
- fork lift drives  
VGS  
continous  
transient  
15  
20  
V
V
ID25  
ID90  
ID110  
TC = 25°C  
TC = 90°C  
TC = 110°C  
50  
38  
33  
A
A
A
• in battery supplied equipment  
IF25  
IF90  
IF110  
TC = 25°C (diode)  
TC = 90°C (diode)  
TC = 110°C (diode)  
150  
85  
65  
A
A
A
Features  
• MOSFETs in trench technology:  
- low RDSon  
- optimized intrinsic reverse diode  
• package:  
- high level of integration  
- high current capability  
- aux. terminals for MOSFET control  
- terminals for soldering or welding  
connections  
- isolated DCB ceramic base plate  
with optimized heat transfer  
• Space and weight savings  
Symbol  
Conditions  
Characteristic Values  
(TVJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min. typ. max.  
1)  
RDSon  
on chip level at  
VGS = 10 V; ID = 38 A  
TVJ = 25°C  
TVJ = 125°C  
19  
38  
24  
mW  
mW  
VGS(th)  
IDSS  
VDS = 20 V; ID = 1 mA  
VDS = VDSS; VGS = 0 V  
2.5  
4.5  
5
V
TVJ = 25°C  
TVJ = 125°C  
µA  
0.5  
mA  
IGSS  
VGS  
=
20 V; VDS = 0 V  
0.2  
µA  
Qg  
Qgs  
Qgd  
97  
29  
30  
nC  
nC  
nC  
VGS = 10 V; VDS = 75 V; ID = 38 A  
VGS = 10 V; VDS = 25 V; f = 1 MHz  
Ciss  
Coss  
Crss  
5800  
490  
85  
pF  
pF  
pF  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
120  
50  
100  
25  
ns  
ns  
ns  
ns  
inductive load  
VGS = 10 V; VDS = 75 V  
ID = 38 A; RG(on) = 39 W; RG(off) = 4.7 W  
TJ = 125°C  
Eon  
Eoff  
Erecoff  
0.25  
0.05  
0.02  
mJ  
mJ  
mJ  
RthJC  
RthJH  
1)  
1.0 K/W  
1.6 K/W  
with heat transfer paste (IXYS test setup)  
= ID·(RDS(on) + 2RPin to Chip)  
1.3  
V
DS  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
20170529c  
© 2017 IXYS All rights reserved  
1 - 6  
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