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GMA06

更新时间： 2024-11-21 03:39:35

品牌	Logo	应用领域
GTM		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	216K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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GMA06 数据手册

ISSUED DATE :2004/05/28

REVISED DATE :

GTM CORPORATION

N P N S I L I C O N T R A N S I S T O R

GMA06

Description

he GMA06 is Amplifier Transistor.

Package Dimension

SOT-89

Millimeter

REF.

Millimeter

REF.

Min.

4.4

Max.

4.6

Min.

3.00 REF.

1.50 REF.

Max.

4.05

1.50

1.30

2.40

0.89

4.25

1.70

1.50

2.60

1.20

0.40

1.40

0.35

0.52

1.60

0.41

5q TYP.

0.70 REF.

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Ratings

+150

-55~+150

Unit

Junction Temperature

Storage Temperature

Tstg

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

VCBO

VCEO

VEBO

500

Total Power Dissipation at Ta=25к

1.2

Characteristics at Ta = 25к

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

BVCBO

=100uA

BVCEO

BVEBO

C=1mA

=100uA

CB=80V

CE=60V

CBO

100

250

1.2

CEO

*VCE(sat)

BE(sat)

=100mA, I

B=10mA

=100mA, VCE=1V

*hFE1

*hFE2

100

CE=1V, I

CE=2V, I

=10mA

=100mA

MHz

=10mA, f=100MHz

*Pulse Test:Pulse width ≤380us,Duty Cycle≤2%

GTM Product Specification

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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GMA06DRMI	ETC	获取价格	CONN EDGE DUAL FMALE 12POS 0.125
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