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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DIP, DIP32,.6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 70 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T32 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -25 °C | 组织： | 128KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP32,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.00002 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.04 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | OTHER |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GM76V8128CLLE-85 | ETC |
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x8 SRAM |
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| GM76V8128CLLEFW-70 | ETC |
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x8 SRAM |
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| GM76V8128CLLEFW-85 | ETC |
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x8 SRAM |
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| GM76V8128CLLET-70 | ETC |
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x8 SRAM |
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| GM76V8128CLLET-85 | ETC |
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x8 SRAM |
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| GM76V8128CLLETS-70 | ETC |
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x8 SRAM |
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| GM76V8128CLLETS-85 | ETC |
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x8 SRAM |
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| GM76V8128CLLFW-70 | ETC |
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x8 SRAM |
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| GM76V8128CLLFW-85 | ETC |
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x8 SRAM |
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| GM76V8128CLLG-70 | ETC |
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x8 SRAM |
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