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GM76V256CLT-10

更新时间： 2024-02-04 06:13:33

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海力士 - HYNIX		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	175K
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Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28

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GM76V256CLT-10 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	TSOP1,	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.76
最长访问时间：	100 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G28
JESD-609代码：	e6	长度：	11.8 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	32KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.55 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

GM76V256CLT-10 数据手册

GM76V256C Series

TIMING DIAGRAM

READ CYCLE 1

tRC

ADDR

tAA

tOE

tOH

tOLZ

tACS

tCLZ

tOHZ

tCHZ

High-Z

Data

Out

Data Valid

Note(READ CYCLE):

1. tCHZ and tOHZ are defined as the time at which the outputs achieve the open circuit conditions and arenot

referenced to output voltage levels.

2. At any given temperature and voltage condition, tCHZ max. is less than tCLZ min. both for a given device

and from device to device.

3. /WE is high for the read cycle.

READ CYCLE 2

tRC

ADDR

tAA

tOH

Data

Out

Previous Data

Data Valid

Note(READ CYCLE):

1. /WE is high for the read cycle.

2. Device is continuously selected /CS= VIL.

3. /OE =VIL.

Rev 02 / Apr. 2001

1...3 4 567 8 9...11

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与GM76V256CLT-10相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
GM76V256CLT-10/E	HYNIX	Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, TSOP1-28	获取价格
GM76V256CLT-70	HYNIX	Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28,	获取价格
GM76V256CLT-85	ETC	x8 SRAM	获取价格
GM76V256CLT-85/E	HYNIX	Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, TSOP1-28	获取价格
GM76V8128CL-70	ETC	x8 SRAM	获取价格
GM76V8128CL-85	ETC	x8 SRAM	获取价格