5秒后页面跳转
GM76V8128CLE-85 PDF预览

GM76V8128CLE-85

更新时间: 2024-02-03 15:19:38
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
11页 415K
描述
x8 SRAM

GM76V8128CLE-85 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.78
最长访问时间:85 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDIP-T32JESD-609代码:e0
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-25 °C组织:128KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP32,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.00003 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.04 mA标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:OTHER端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

GM76V8128CLE-85 数据手册

 浏览型号GM76V8128CLE-85的Datasheet PDF文件第2页浏览型号GM76V8128CLE-85的Datasheet PDF文件第3页浏览型号GM76V8128CLE-85的Datasheet PDF文件第4页浏览型号GM76V8128CLE-85的Datasheet PDF文件第5页浏览型号GM76V8128CLE-85的Datasheet PDF文件第6页浏览型号GM76V8128CLE-85的Datasheet PDF文件第7页 

与GM76V8128CLE-85相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
GM76V8128CLEFW-70 ETC x8 SRAM

获取价格

GM76V8128CLEFW-85 ETC x8 SRAM

获取价格

GM76V8128CLET-70 ETC x8 SRAM

获取价格

GM76V8128CLET-85 ETC x8 SRAM

获取价格

GM76V8128CLETS-70 ETC x8 SRAM

获取价格

GM76V8128CLETS-85 ETC x8 SRAM

获取价格