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GM76V256CLT-10

更新时间： 2024-02-01 04:30:21

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海力士 - HYNIX		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	175K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28

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GM76V256CLT-10 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	TSOP1,	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.76
最长访问时间：	100 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G28
JESD-609代码：	e6	长度：	11.8 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	32KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.55 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

GM76V256CLT-10 数据手册

GM76V256C Series

MARKING INFORMATION

Package

Marking Example

PDIP

SOP

TSOP-I

Index

• HYUNDAI

• KOREA

• GM76V256C

• cc

: Hynix Logo

: Origin Country

: Part Name

: Power Consumption

- L

- LL

: Low Power

: Low Low Power

Blank / FW / T

•

: Package Type

- Blank

- FW

: DIP

: SOP

: TSOP-I

- T

: Speed

- 85

: 85ns

- 10

: 100ns

• t

: Temperature

- Blank

- E

: Commercial ( 0 ~ 70 °C )

: Extended ( -25 ~ 85 °C )

•

: Year ( ex : 00 = year 2000, 01 = year 2001 )

: Work Week ( ex : 12 = ww12 )

Note

- Capital Letter

: Fixed Item

- Small Letter

: Non-fixed Item

Rev 02 / Apr. 2001

1...8 9 1011

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与GM76V256CLT-10相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
GM76V256CLT-10/E	HYNIX	Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, TSOP1-28	获取价格
GM76V256CLT-70	HYNIX	Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28,	获取价格
GM76V256CLT-85	ETC	x8 SRAM	获取价格
GM76V256CLT-85/E	HYNIX	Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, TSOP1-28	获取价格
GM76V8128CL-70	ETC	x8 SRAM	获取价格
GM76V8128CL-85	ETC	x8 SRAM	获取价格