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GM76V256CLT-10 PDF预览

GM76V256CLT-10

更新时间： 2024-01-24 03:45:30
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 175K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28

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GM76V256CLT-10 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：TSOP1,针数：28
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.76
最长访问时间：100 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G28
JESD-609代码：e6长度：11.8 mm
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：28字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-25 °C
组织：32KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：OTHER
端子面层：TIN BISMUTH端子形式：GULL WING
端子节距：0.55 mm端子位置：DUAL
宽度：8 mmBase Number Matches：1

GM76V256CLT-10 数据手册

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GM76V256C Series  
DESCRIPTION  
FEATURES  
The GM76V256C is a high-speed, low power and  
32,786 X 8-bits CMOS Static Random Access  
·
·
·
·
Fully static operation and Tri-state output  
TTL compatible inputs and outputs  
Low power consumption  
Battery backup(L/LL-part)  
- 2.0V(min.) data retention  
Standard pin configuration  
- 28 pin 600mil PDIP  
- 28 pin 330mil SOP  
- 28 pin 8x13.4 mm TSOP-I  
(Standard)  
Memory fabricated using  
Hynix's high  
performance CMOS process technology. It is  
suitable for use in low voltage operation and  
battery back-up application. This device has a  
data retention mode that guarantees data to  
remain valid at the minimum power supply  
voltage of 2.0 volt.  
·
Product  
No.  
GM76V256C  
GM76V256CE  
Voltage  
(V)  
Speed  
(ns)  
85/100  
85/100  
Operation  
Current(mA)  
Standby Current(uA)  
Temperature  
(°C)  
0~70(Normal)  
-25~85(Extended)  
L
LL  
10  
15  
3.3  
3.3  
2
2
20  
30  
Note 1. Current value is max.  
PIN CONNECTION  
Vcc  
A14  
A12  
A7  
1
2
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
A14  
A12  
A7  
Vcc  
/WE  
A13  
A8  
1
2
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
/WE  
A13  
A8  
/OE  
A11  
A9  
A10  
3
1
2
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
3
/CS  
I/O8  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
Vss  
I/O3  
I/O2  
I/O1  
A0  
A6  
4
A6  
4
3
A5  
A9  
5
A5  
A9  
5
A8  
4
A4  
A11  
/OE  
A10  
/CS  
I/O8  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
6
A11  
/OE  
A10  
/CS  
I/O8  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
A4  
6
A13  
/WE  
Vcc  
A14  
A12  
A7  
5
A3  
7
A3  
7
6
A2  
8
A2  
7
8
A1  
8
9
A1  
9
9
A0  
A0  
10  
11  
12  
13  
14  
10  
11  
12  
13  
14  
10  
11  
12  
13  
14  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
Vss  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
Vss  
A6  
A5  
A4  
A1  
A3  
A2  
PDIP  
SOP  
TSOP-I(Standard)  
PIN DESCRIPTION  
BLOCK DIAGRAM  
ROW DECODER  
I/O1  
A0  
Pin Name  
Pin Function  
Chip Select  
Write Enable  
/CS  
/WE  
MEMORY ARRAY  
512x512  
/OE  
Output Enable  
Address Inputs  
Data Input/Output  
Power  
A0 ~ A14  
I/O1 ~ I/O8  
Vcc  
A14  
I/O8  
/CS  
Vss  
Ground  
/OE  
/WE  
Rev 02 / Apr. 2001  
2
1234567...11

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与GM76V256CLT-10相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
GM76V256CLT-10/E HYNIX Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, TSOP1-28

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