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GM76V256CLLT-85/E

更新时间： 2024-02-19 17:19:01

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海力士 - HYNIX		ISM频段静态存储器光电二极管内存集成电路
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9页	77K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, TSOP1-28

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GM76V256CLLT-85/E 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	TSOP1,	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.76
最长访问时间：	85 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G28
JESD-609代码：	e6	长度：	11.8 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	32KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.55 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

GM76V256CLLT-85/E 数据手册

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GM76V256CL/LL

Absolute Maximum Ratings ^*1

Symbol

Parameter

Rating

0 ~ 70

Unit

Ambient

Temperature

under Bias

GM76V256CL/LL

GM76V256CLE/LLE

-25 ~ 85

Storage Temperature

-65 ~ 150

260, 10 (at lead)

-0.3 ~ 4.6

TSTG

VSOL

VCC

VIN

Soldering Temperature and Time

Supply Voltage

C, S

Input Voltage

-0.3 ~ 4.6

Input and Output Voltage

Power Dissipation

-0.5 ~ VCC + 0.5

1.0

VI/O

Notes:

1. Operation at above Absolute Maximum Ratings can adversely affect device reliability.

2. -3.0V at pulse width 50ns Max.

Recommended DC Operating Conditions (TA = -25 ~ 85C)

GM76V256C

Symbol

Parameter

Unit

Min

3.0

Typ

Max

3.6

VCC

VIH

VIL

Supply Voltage

3.3

Input High Voltage

Input Low Voltage

2.2

CC + 0.3

0.4

-0.3*

*Note: VIL=-3.0V Min for pulse width less than 50ns.

Truth Table

/CS

/WE

/OE

Input/Output

MODE

Not Selected

Read

Hi-Z

Output Data

Input Data

Hi-Z

Write

Output Disable

*Note: X means "don't care".

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与GM76V256CLLT-85/E相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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GM76V256CLT-10/E	HYNIX	Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, TSOP1-28	获取价格
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GM76V256CLT-85/E	HYNIX	Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, TSOP1-28	获取价格