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GM76V256CLLT-85/E

更新时间: 2024-02-09 22:03:11
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海力士 - HYNIX ISM频段静态存储器光电二极管内存集成电路
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9页 77K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, TSOP1-28

GM76V256CLLT-85/E 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP
包装说明:TSOP1,针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.76
最长访问时间:85 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G28
JESD-609代码:e6长度:11.8 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-25 °C
组织:32KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:OTHER
端子面层:TIN BISMUTH端子形式:GULL WING
端子节距:0.55 mm端子位置:DUAL
宽度:8 mmBase Number Matches:1

GM76V256CLLT-85/E 数据手册

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GM76V256CL/LL  
Write Cycle 1 (/WE Controlled) (Note 1, 2)  
tWC  
ADD  
tCW  
/CS  
tAW  
tWR  
tAS  
tWP  
/WE  
tDW  
tDH  
DIN  
VALID DATA  
tOW  
tWHZ  
High-Z  
DOUT  
Notes:  
1. The internal write time of the memory is defined by the overlap of /CS low and /WE low. Both signals  
must be low to initiate a write and either signal can terminate a write by going high. The data input  
set-up and hold timing should be referenced to the rising edge of the signal that terminates the write.  
2. Data I/O is high impedance if /OE = VIH  
.
48  

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