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GM76V256CLEFW-85

更新时间: 2024-01-31 15:47:07
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 136K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28

GM76V256CLEFW-85 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
最长访问时间:85 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G28JESD-609代码:e0
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-25 °C组织:32KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP28,.5
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.00002 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.035 mA标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:OTHER端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

GM76V256CLEFW-85 数据手册

 浏览型号GM76V256CLEFW-85的Datasheet PDF文件第1页浏览型号GM76V256CLEFW-85的Datasheet PDF文件第3页浏览型号GM76V256CLEFW-85的Datasheet PDF文件第4页浏览型号GM76V256CLEFW-85的Datasheet PDF文件第5页浏览型号GM76V256CLEFW-85的Datasheet PDF文件第6页浏览型号GM76V256CLEFW-85的Datasheet PDF文件第7页 
GM76V256C Series  
DESCRIPTION  
FEATURES  
The GM76V256C is a high-speed, low power and  
32,786 X 8-bits CMOS Static Random Access  
·
·
·
·
Fully static operation and Tri-state output  
TTL compatible inputs and outputs  
Low power consumption  
Battery backup(L/LL-part)  
- 2.0V(min.) data retention  
Standard pin configuration  
- 28 pin 600mil PDIP  
- 28 pin 330mil SOP  
- 28 pin 8x13.4 mm TSOP-I  
(Standard)  
Memory fabricated using  
Hyundai's high  
performance CMOS process technology. It is  
suitable for use in low voltage operation and  
battery back-up application. This device has a  
data retention mode that guarantees data to  
remain valid at the minimum power supply  
voltage of 2.0 volt.  
·
Product  
No.  
GM76V256C  
GM76V256CE  
Voltage  
(V)  
Speed  
(ns)  
85/100  
85/100  
Operation  
Current(mA)  
Standby Current(uA)  
Temperature  
(°C)  
0~70(Normal)  
-25~85(Extended)  
L
LL  
10  
15  
3.3  
3.3  
2
2
20  
30  
Note 1. Current value is max.  
PIN CONNECTION  
Vcc  
A14  
A12  
A7  
1
2
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
A14  
A12  
A7  
Vcc  
/WE  
A13  
A8  
1
2
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
/WE  
A13  
A8  
/OE  
A11  
A9  
A10  
3
1
2
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
3
/CS  
I/O8  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
Vss  
I/O3  
I/O2  
I/O1  
A0  
A6  
4
A6  
4
3
A5  
A9  
5
A5  
A9  
5
A8  
4
A4  
A11  
/OE  
A10  
/CS  
I/O8  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
6
A11  
/OE  
A10  
/CS  
I/O8  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
A4  
6
A13  
/WE  
Vcc  
A14  
A12  
A7  
5
A3  
7
A3  
7
6
A2  
8
A2  
7
8
A1  
8
9
A1  
9
9
A0  
A0  
10  
11  
12  
13  
14  
10  
11  
12  
13  
14  
10  
11  
12  
13  
14  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
Vss  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
Vss  
A6  
A5  
A4  
A1  
A3  
A2  
PDIP  
SOP  
TSOP-I(Standard)  
PIN DESCRIPTION  
BLOCK DIAGRAM  
ROW DECODER  
I/O1  
A0  
Pin Name  
Pin Function  
Chip Select  
Write Enable  
/CS  
/WE  
MEMORY ARRAY  
512x512  
/OE  
Output Enable  
Address Inputs  
Data Input/Output  
Power(+5.0V)  
Ground  
A0 ~ A14  
I/O1 ~ I/O8  
Vcc  
A14  
I/O8  
/CS  
Vss  
/OE  
/WE  
Rev 00 / Jul. 2000  
2

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