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GM76V256CLEFW-85

更新时间: 2024-01-02 05:30:26
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 136K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28

GM76V256CLEFW-85 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
最长访问时间:85 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G28JESD-609代码:e0
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-25 °C组织:32KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP28,.5
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.00002 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.035 mA标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:OTHER端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

GM76V256CLEFW-85 数据手册

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GM76V256C Series  
28pin 8x13.4mm Thin Small Outline Package Standard(T)  
MAX.  
MIN.  
UNIT : INCH(mm)  
0.468(11.9)  
0.460(11.7)  
0.536(13.6)  
0.520(13.2)  
0.319(8.1)  
0.311(7.9)  
0.040(1.02)  
0.036(0.91)  
0.008(0.20)  
0.002(0.05)  
0.008(0.2)  
0.027(0.7)  
0.022(0.55 BSC)  
0.004(0.1)  
0.012(0.3)  
Rev 00 / Jul. 2000  
9

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