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GM76V256CLEFW-85

更新时间: 2024-02-08 23:01:32
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 136K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28

GM76V256CLEFW-85 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
最长访问时间:85 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G28JESD-609代码:e0
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-25 °C组织:32KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP28,.5
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.00002 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.035 mA标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:OTHER端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

GM76V256CLEFW-85 数据手册

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GM76V256C Series  
PACKAGE INFORMATION  
28pin 600mil Dual In-Line Package(Blank)  
MAX.  
UNIT : INCH(mm)  
MIN.  
1.467(37.262)  
1.447(36.754)  
0.600(15.240)BSC  
0.065(1.650)  
0.050(1.270)  
0.090(2.286)  
0.070(1.778)  
0.550(13.970)  
0.530(13.462)  
0.155(3.937)  
0.145(3.683)  
0.035(0.889)  
0.020(0.508)  
0.140(3.556)  
3 deg  
11 deg  
0.014(0.356)  
0.021(0.533)  
0.015(0.381)  
0.120(3.048)  
0.100(2.54)BSC  
0.008(0.200)  
28pin 330mil Small Outline Package(FW)  
MAX  
MIN.  
UNIT : INCH(mm)  
0.346(8.788)  
0.338(8.585)  
0.480(12.192)  
0.460(11.684)  
0.110(2.794)  
0.094(2.388)  
0.728(18.491)  
0.720(18.288)  
0.012(0.305)  
0.008(0.203)  
0.014(0.356)  
0.002(0.051)  
0.050(1.270)  
0.030(0.762)  
0.050(1.270)BSC  
0.020(0.508)  
0.014(0.356)  
Rev 00 / Jul. 2000  
8

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