5秒后页面跳转
GM76C256CLLT-70 PDF预览

GM76C256CLLT-70

更新时间: 2024-02-17 21:10:53
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
10页 81K
描述
x8 SRAM

GM76C256CLLT-70 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP
包装说明:LSSOP,针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.71
最长访问时间:150 ns其他特性:ALSO OPERATES WITH 5V SUPPLY
JESD-30 代码:R-PDSO-G28长度:11.8 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LSSOP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.22 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.55 mm
端子位置:DUAL宽度:8 mm
Base Number Matches:1

GM76C256CLLT-70 数据手册

 浏览型号GM76C256CLLT-70的Datasheet PDF文件第4页浏览型号GM76C256CLLT-70的Datasheet PDF文件第5页浏览型号GM76C256CLLT-70的Datasheet PDF文件第6页浏览型号GM76C256CLLT-70的Datasheet PDF文件第7页浏览型号GM76C256CLLT-70的Datasheet PDF文件第9页浏览型号GM76C256CLLT-70的Datasheet PDF文件第10页 
LG Semicon  
GM76C256CL/LL  
Capacitance (f = 1MH  
Z
, T = 25C)  
A
Symbol  
CIN  
Parameter  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Test Conditions  
VI = 0V  
Min  
Max  
Unit  
pF  
-
-
6
8
VO = 0V  
COUT  
pF  
*Note: This parameter is sampled and not 100% tested.  
Data Retention Characteristics (TA = -25 ~ 85C)  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
VCCR  
Data Retention Supply Voltage  
/CS > VCCR - 0.2V  
2.0  
-
-
0.5*1  
0.5 *1  
1 *1  
1*1  
-
5.5  
7
V
0 to +70C (LL)  
-25 to +85C (LLE)  
0 to +70C (L)  
-
10  
15  
20  
-
Data Retention  
Current  
VCC = 3.0V  
ICCR  
uA  
/CS > 2.8V  
-
-25 to +85C (LE)  
-
tCDR  
tR  
Chip Select to Data Retention Time  
Operation Recovery Time  
0
5
ns  
Refer to the figure  
below  
-
-
ms  
Notes:  
1. Typ, Values are measured at 25C  
Data Retention Timing  
Data Retention Mode  
VCC  
4.5V  
t
CDR  
t
R
2.2V  
VCCR  
/CS  
/CS VCCR - 0.2V  
>
GND  
Note: When retaining data in standby mode, supply voltage can be lowered within a certain range.  
Read or write cycle cannot be performed while the supply voltage is low.  
40  

与GM76C256CLLT-70相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
GM76C256CLLT-70/E HYNIX Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, TSOP1-28

获取价格

GM76C256CLLT-85 ETC x8 SRAM

获取价格

GM76C256CLLT-85E HYNIX Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28

获取价格

GM76C256CLLT-W55 HYNIX Standard SRAM, 32KX8, 120ns, CMOS, PDSO28

获取价格

GM76C256CLLT-W70 HYNIX Standard SRAM, 32KX8, 150ns, CMOS, PDSO28

获取价格

GM76C256CLLW-55 ETC x8 SRAM

获取价格