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GM76C256CLL-55

更新时间： 2024-01-02 23:56:07
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 81K
描述
x8 SRAM

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GM76C256CLL-55 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DIP
包装说明：DIP,针数：28
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.15
最长访问时间：120 ns其他特性：ALSO OPERATES WITH 5V SUPPLY
JESD-30 代码：R-PDIP-T28长度：37.008 mm
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：28字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：32KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
座面最大高度：4.826 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：15.24 mm
Base Number Matches：1

GM76C256CLL-55 数据手册

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LG Semicon  
GM76C256CL/LL  
AC Operating Characteristics (VCC=5.0V + 0.5V , TA = -25 ~ 85C)  
Read Cycle  
GM76C256C-55  
GM76C256C-70  
Condi-  
tions  
Unit  
Symbol  
Parameter  
Min  
55  
-
Max  
-
Min  
70  
-
Max  
-
t
t
t
t
t
t
t
t
t
RC  
Read Cycle Time  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
AA  
Address Access Time  
55  
55  
25  
-
70  
70  
30  
-
ACS  
OE  
Chip Select Access Time  
*1  
*2  
-
-
Output Enable Access Time  
Output Hold Time  
-
-
OH  
10  
10  
5
10  
10  
5
CLZ  
OLZ  
CHZ  
OHZ  
Chip Selection to Output in Low-Z  
Output Disable to Output in Low-Z  
Chip Deselection to Output in High-Z  
Output Disable to Output in High-Z  
-
-
-
-
0
20  
20  
0
25  
25  
0
0
Write Cycle  
GM76C256C-55  
GM76C256C-70  
Condi-  
tions  
Unit  
Symbol  
Parameter  
Min  
55  
45  
45  
0
Max  
Min  
70  
60  
60  
0
Max  
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
WC  
CW  
AW  
AS  
Write Cycle Time  
-
-
-
-
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Chip Select to End of Write  
Address Set-up Time to End of Write  
Address Set-up Time  
-
-
-
-
*1  
*2  
WP  
WR  
DW  
DH  
Write Pulse Width  
40  
0
-
50  
0
-
Write Recovery Time  
-
-
Data to Write Time Overlap  
Data Hold Time  
25  
0
-
30  
0
-
-
-
WHZ  
OW  
Write to Output in High-Z  
Output Active from End of Write  
0
20  
-
0
25  
-
5
5
*1 Test Conditions.  
*2 Test Conditions.  
1. Input pulse level : 0.6V to 2.4V  
2. tr = tf = 5ns  
1. Input pulse level : 0.6V to 2.4V  
2. tr = tf = 5ns  
3. Input/output timing reference level : 1.5V  
4. Output load CL = 100pF + 1TTL Load  
3. Input timing reference level : 1.5V  
4. Output timing reference level :  
+/-200mV (the level displacement from  
stable output voltage level)  
5. Output load CL = 5pF + 1TTL Load  
36  
1234567...10

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与GM76C256CLL-55相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
GM76C256CLL-55W HYNIX Standard SRAM, 32KX8, 120ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28

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