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GM76C256CLL-55

更新时间： 2024-01-27 09:37:06

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其他 - ETC		内存集成电路静态存储器光电二极管
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10页	81K
描述
x8 SRAM

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GM76C256CLL-55 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP,	针数：	28
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.15
最长访问时间：	120 ns	其他特性：	ALSO OPERATES WITH 5V SUPPLY
JESD-30 代码：	R-PDIP-T28	长度：	37.008 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	4.826 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	15.24 mm
Base Number Matches：	1

GM76C256CLL-55 数据手册

LG Semicon

DC Electrical Characteristics (VCC=5.0V + 0.5V , TA = -25 ~ 85C)

GM76C256CL/LL

GM76C256C

Unit

Symbol

Parameter

Test Conditions

Min Typ Max

II(L)

Input Leakage Current

Output Leakage Current

IN = 0 to VCC

-1

IO(L)

/CS = VIH or /OE = VIH or

/WE = VIL, V< VOUT < VCC

-1

High Level Output Voltage

Low Level Output Voltage

OH = -1.0mA

2.4

IOL = 2.1mA

0.4

Operating Supply Current

/CS = VIL,

10 mA

70 mA

VIN = VIH/VIL, II/O = 0mA

CC1

CC2

/CS = VIL,

Average Operating Current

VIN = VIH/VIL

II/O = 0mA

tcycle = Min, cycle

/CS = VIL,

Average Operating Current

VIN = VIH/VIL

10 mA

II/O = 0mA

tcycle = 1us, cycle

CCS1

CCS2

/CS = VIH

1.0 mA

20 uA

Standby Current (TTL)

0 to +70C (LL)

-25 to +85C (LLE)

0 to +70C (L)

Standby Current (CMOS)

/CS < VCC-0.2V(LL)

/CS < VCC-0.2V (L)

-25 to +85C (LE)

60 uA

*TYP. Values are measured at 25C, VCC = 5.0V

1 234 5 6 7...10

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与GM76C256CLL-55相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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