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GM71VS65803CLJ-5

更新时间： 2024-01-30 18:48:26
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
11页 121K
描述
x8 EDO Page Mode DRAM

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GM71VS65803CLJ-5 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.81
访问模式：FAST PAGE WITH EDO最长访问时间：50 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH; BATTERY BACKUP OPERATIONI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-J32JESD-609代码：e0
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：EDO DRAM
内存宽度：8功能数量：1
端口数量：1端子数量：32
字数：8388608 words字数代码：8000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：8MX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装等效代码：SOJ32,.44
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：4096
自我刷新：YES最大待机电流：0.0003 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.145 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

GM71VS65803CLJ-5 数据手册

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G M 71V 65803C  
G M 71V S65803CL  
W rite Cycles  
G M 71V (S)65803C/CL-5  
G M 71V (S)65803C/CL-6  
N ote  
Symbol  
Parameter  
Unit  
M in  
M in  
0
M ax  
M ax  
0
8
-
-
-
-
-
14  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Write Com m and Set-up Time  
Write Com m and Hold Time  
t
t
W C S  
W C H  
10  
10  
15  
10  
0
-
-
-
-
-
-
8
Write Com m and Pulse Width  
Write Com m and to RA S Lead Time  
t
t
W P  
13  
8
RW L  
-
-
Write Com m and to CA S Lead Time  
t
CWL  
15  
15  
0
Data-in Set-up Time  
Data-in H old Time  
t
t
D S  
D H  
10  
8
-
Read-M odify-W rite Cycles  
G M 71V (S)65803C/CL-5  
G M 71V (S)65803C/CL-6  
N ote  
Symbol  
Parameter  
Unit  
M in  
116  
67  
M in  
M ax  
M ax  
140  
-
-
-
-
-
-
Read-M odify-Write Cycle Tim e  
RA S to W E Delay Time  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
t
t
t
t
RW C  
RW D  
C W D  
79  
34  
-
-
14  
14  
30  
CAS to W E Delay Time  
42  
49  
15  
14  
-
-
Column Address to W E Delay Time  
A W D  
13  
t
OEH  
OE H old Time from WE  
Refresh Cycles  
G M 71V (S)65803C/CL-5 G M 71V (S)65803C/CL-6  
N ote  
Symbol  
Unit  
Parameter  
M in  
M in  
M ax  
M ax  
CAS Set-up Time  
(CA S-before-RA S Refresh Cycle)  
-
ns  
-
5
t
CSR  
5
CAS H old Time  
(CA S-before-RA S Refresh Cycle)  
8
0
-
-
-
-
10  
0
ns  
ns  
t
t
CHR  
WRP  
W E setup time  
(CA S-before-RA S Refresh Cycle)  
W E hold time  
(CA S-before-RA S Refresh Cycle)  
8
5
-
-
10  
5
-
-
ns  
ns  
t
t
W R H  
RPC  
RA S Precharge to CA S H old Time  
Rev 0.1 / Apr’01  
1...3456789...11

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