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GM71VS65803CLJ-5

更新时间： 2024-02-06 08:06:42
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其他 - ETC 内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
11页 121K
描述
x8 EDO Page Mode DRAM

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GM71VS65803CLJ-5 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.81
访问模式：FAST PAGE WITH EDO最长访问时间：50 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH; BATTERY BACKUP OPERATIONI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-J32JESD-609代码：e0
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：EDO DRAM
内存宽度：8功能数量：1
端口数量：1端子数量：32
字数：8388608 words字数代码：8000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：8MX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装等效代码：SOJ32,.44
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：4096
自我刷新：YES最大待机电流：0.0003 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.145 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

GM71VS65803CLJ-5 数据手册

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G M 71V 65803C  
G M 71V S65803CL  
Read Cycles  
G M 71V (S)65803C/CL-6  
G M 71V (S)65803C/CL-5  
Symbol  
Parameter  
N otes  
Unit  
M i  
M ax  
50  
M ax  
60  
M i  
n
n
ns  
ns  
-
-
A ccess Tim e from RAS  
t
RA C  
CAC  
8,9  
-
13  
-
15  
A ccess Tim e from CAS  
9,10,17  
t
t
t
ns  
ns  
-
-
25  
13  
-
-
30  
15  
-
A ccess Tim e from Column Address  
A ccess Tim e from OE  
A A  
9,11,17  
9
OAC  
0
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
0
Read Command Set-up Time  
-
t
t
t
t
t
RCS  
RCH  
RRH  
RA L  
12  
12  
0
0
0
Read Command H old Time to CA S  
Read Command H old Time to RA S  
Column Address to RA S Lead Time  
Column Address to CA S Lead Time  
Output Buffer Turn-off Delay Time from CAS  
Output Buffer Turn-off Delay Time from OE  
-
-
-
-
0
30  
18  
25  
15  
-
-
-
-
CAL  
ns  
ns  
ns  
-
-
13  
13  
-
-
15  
15  
t
OF  
F
13,21  
13  
t
OEZ  
13  
-
-
-
-
5
CAS to DI N D elay Time  
RA S to DI N Delay Time  
15  
15  
t
CDD  
ns  
13  
t
RDD  
ns  
ns  
15  
-
-
-
W E to D I N D elay Time  
13  
-
t
t
W D D  
OFR  
13,21  
13  
Output Buffer Turn-off Delay Time from RAS  
13  
15  
15  
ns  
ns  
ns  
t
W EZ  
-
3
13  
-
Output Buffer Turn-off Delay Time from WE  
Output Data H old Time  
3
3
21  
-
-
-
-
-
-
-
-
t
t
O H  
Output Data H old Time from RA S  
3
OHR  
21  
50  
3
ns  
ns  
ns  
Read Command H old Time from RAS  
Output data hold time from OE  
CAS to Output in Low - Z  
60  
3
t
t
t
RCHR  
O H O  
CLZ  
-
-
0
0
Rev 0.1 / Apr’01  
12345678...11

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