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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.83 |
| 访问模式： | FAST PAGE WITH EDO | 最长访问时间： | 60 ns |
| 其他特性： | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH; BATTERY BACKUP OPERATION | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-J32 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 67108864 bit | 内存集成电路类型： | EDO DRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 8388608 words | 字数代码： | 8000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 8MX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOJ | 封装等效代码： | SOJ32,.44 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 8192 |
| 自我刷新： | YES | 最大待机电流： | 0.0003 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.135 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| GM71VS64803CLT-5 | ETC | x8 EDO Page Mode DRAM |
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| GM71VS64803CLT-6 | ETC | x8 EDO Page Mode DRAM |
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| GM71VS65163ALJ-5 | ETC | x16 EDO Page Mode DRAM |
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| GM71VS65163ALJ-6 | ETC | x16 EDO Page Mode DRAM |
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| GM71VS65163ALT-5 | ETC | x16 EDO Page Mode DRAM |
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| GM71VS65163ALT-6 | ETC | x16 EDO Page Mode DRAM |
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