5秒后页面跳转
GM71V65163AJ-5 PDF预览

GM71V65163AJ-5

更新时间: 2024-01-19 06:44:25
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 动态存储器
页数 文件大小 规格书
24页 397K
描述
x16 EDO Page Mode DRAM

GM71V65163AJ-5 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.82
访问模式:FAST PAGE WITH EDO最长访问时间:50 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J50JESD-609代码:e0
内存密度:67108864 bit内存集成电路类型:EDO DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:50
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装等效代码:SOJ50(UNSPEC)
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
自我刷新:NO最大待机电流:0.0005 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.2 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

GM71V65163AJ-5 数据手册

 浏览型号GM71V65163AJ-5的Datasheet PDF文件第18页浏览型号GM71V65163AJ-5的Datasheet PDF文件第19页浏览型号GM71V65163AJ-5的Datasheet PDF文件第20页浏览型号GM71V65163AJ-5的Datasheet PDF文件第21页浏览型号GM71V65163AJ-5的Datasheet PDF文件第22页浏览型号GM71V65163AJ-5的Datasheet PDF文件第23页 
GM71V65163A  
GM71VS65163AL  
LG Semicon  
SOJ 50 PIN Package Dimension  
¥±  
TSOP 50 PIN Package Dimension  
0.40 MIN  
0.60 MAX  
Unit: mm  
¡ £  
20.95 MIN  
21.35 MAX  
0 ~ 5  
0.145  
0.125  
0.05  
0.04  
0.80  
1.15 MAX  
0.30 0.10  
0.28 0.08  
0.80  
0.08 MIN  
0.18 MAX  
0.10  
Dimension including the plating thickness  
Base material dimension  
24  

与GM71V65163AJ-5相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
GM71V65163AJ-6 ETC x16 EDO Page Mode DRAM

获取价格

GM71V65163AT-5 ETC x16 EDO Page Mode DRAM

获取价格

GM71V65163AT-6 ETC x16 EDO Page Mode DRAM

获取价格

GM71V65163C(CL) ETC 4Mx16|3.3V|4K|5/6|FP/EDO DRAM - 64M

获取价格

GM71V65163CJ-5 ETC x16 EDO Page Mode DRAM

获取价格

GM71V65163CJ-6 ETC x16 EDO Page Mode DRAM

获取价格